SIR876ADP-T1-GE3
SIR876ADP-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 40A |
| 栅源极阈值电压 | 2.8V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 10.8mΩ @ 20A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 5W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10.8 毫欧 @ 20A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 49nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1630pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 5W（Ta），62.5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 | 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SIR876ADP-T1-GE3手册
SIR876ADP-T1-GE3概述
SIR876ADP-T1-GE3 产品概述
产品介绍
SIR876ADP-T1-GE3 是一款由 VISHAY（威世公司）制造的高性能 N 沟道 MOSFET。这款器件采用 PowerPAK® SO-8 封装，设计用于需要高效能和高可靠性的电子应用。它的主要电气参数包括最大漏源电压 (Vdss) 为 100V，连续漏极电流 (Id) 为 40A，能够在多种环境下保持稳定的表现。
关键参数
漏源电压 (Vdss): 该产品的最大漏源电压为 100V，这使其适用于各种高压应用，如电源管理和电机控制。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下，SIR876ADP-T1-GE3 可支持高达 40A 的连续漏极电流。当在较高的温度条件下 (如 Tc 条件下)，功率耗散能够提升到 62.5W，从而提升了其在高负载情况下的工作能力。
导通电阻 (Rds On): 在驱动电压为 10V，以及电流为 20A 的操作情况下，导通电阻为 10.8mΩ。较低的导通电阻在高频开关应用中减少了能量损失，并提升了整体效率。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 此MOSFET的栅源极阈值电压为 2.8V，适用于低电压驱动的场合，能够实现在较低的门控电压下导通。
驱动电压 (Vgs): 该器件支持最大 ±20V 的栅极驱动电压，并提供较为灵活的工作条件以适应不同的电路设计。
温度范围: SIR876ADP-T1-GE3 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，适合各种严苛的环境和应用需求。
电气特性
栅极电荷 (Qg): 该器件的栅极电荷为 49nC @ 10V，意味着在高开关频率下的驱动能力优秀，可以有效降低驱动电路的功耗。
输入电容 (Ciss): 该MOSFET的输入电容为 1630pF @ 50V，这对开关速度和效率也有着重要的影响。
功率耗散能力: 产品在 25°C 条件下的最大功率耗散为 5W，适合一般的功率管理应用。
应用领域
SIR876ADP-T1-GE3 广泛应用于多个领域，主要包括：
DC-DC 转换器: 由于其低导通电阻和高电流承载能力，适合用作转换器中的开关元件。
电源管理: 它可以用于高效电源管理解决方案，提高电能利用效率，降低功耗。
电机驱动: 适合多种电机控制应用，包括直流电机和步进电机，承担反向电流和反向电动势的作用。
汽车电子: 鉴于其广泛的工作温度范围，适合用于汽车电子设备中，尤其是在需要高可靠性和耐久性的场合。
封装与安装
SIR876ADP-T1-GE3 采用 PowerPAK® SO-8 的表面贴装封装形式，设计紧凑、便于自动化生产，能够有效地节省电路板空间，且具有良好的散热性能。
总结
VISHAY 的 SIR876ADP-T1-GE3 是一款集高性能、低功耗和广泛适用性于一身的 N 沟道 MOSFET，凭借其优越的电气特性和可靠的工作性能，必将在多种工业和消费类电子应用中表现出色。无论是在高效能电源转换还是在高负载电机驱动领域，这款器件都是理想的解决方案选择。