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SI7635DP-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK® SO-8
包装 :
编带
重量 :
0.131g
描述 :
场效应管(MOSFET) 54W 20V 40A 1个P沟道 PowerPAK-SO-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
11+数量 :
X
5.11按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥5.11
--
100+
￥4.25
--
750+
￥3.93
--
1500+
￥3.75
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI7635DP-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 40A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 2.2V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 4.9mΩ @ 26A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 54W(Tc) | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.9 毫欧 @ 26A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 143nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4595pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 5W（Ta），54W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 | 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SI7635DP-T1-GE3手册
SI7635DP-T1-GE3概述
SI7635DP-T1-GE3 产品概述
产品简介： SI7635DP-T1-GE3 是VISHAY（威世）公司推出的一款高性能P沟道MOSFET，旨在满足现代电子设备对功率管理的高要求。该MOSFET采用了先进的PowerPAK® SO-8封装，具备出色的电气性能和散热能力，特别适合用于低电压、高电流应用，广泛应用于电源转换、电机控制及负载开关等领域。
基础参数：
- 漏源电压（Vdss）：最高可承受20V，适用于低压电源和负载开关应用。
- 连续漏极电流（Id）：25°C时的最大连续电流为40A（在Tc条件下提供额外冷却），满足高电流需求。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：在250µA时的门阈值电压为2.2V，确保良好的开关特性与低功耗控制。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：4.9mΩ @ 10V时流过26A电流，突出优越的导通性能，降低了功耗和发热。
电气特性： SI7635DP-T1-GE3的驱动电压（Vgs）级别适应性强，支持4.5V至10V的控制信号，这使得其可轻松集成于多种逻辑电平的电路中。此外，不同Id、Vgs条件下的导通电阻最大值为4.9毫欧，确保该MOSFET在高频率和高负载应用中可实现高效能。
功率耗散能力： 该MOSFET在环境温度为25°C时的功率耗散最高可达54W，使得其适合用于高功率应用，且在较低的环境温度下也可保持稳定工作。此外，其在典型使用条件下的可靠性高，工作温度范围达到-55°C到150°C，适用于热量较大的工业及军事应用。
封装与安装： SI7635DP-T1-GE3使用的是表面贴装型PowerPAK® SO-8封装，设计紧凑，便于在空间受限的电路板上安装。这种封装结构不仅减小了PCB的使用面积，还有效提升了散热性能，为高密度设计提供了便利。
应用领域： 该MOSFET因其优良的热管理特性和强大的电气性能，适合广泛的应用场景，包括但不限于：
- DC-DC转换器
- 电池管理系统
- 直流电动机驱动
- 负载开关
- 各类消费电子及工业电子
总结： SI7635DP-T1-GE3 是一款功能强大、性能稳定的P沟道MOSFET，凭借其卓越的漏源电压、连续电流承载能力及热管理效率，成为电源设计师的理想选择。无论是在消费电子产品、工业自动化设备还是汽车电子中，SI7635DP-T1-GE3均能提供出色的性能和可靠性，助力现代电子产品更高效地运作。