SI7450DP-T1-E3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK® SO-8
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.9W 200V 3.2A 1个N沟道 PowerPAK-SO-8
库存 :
12619(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
6.46按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.46
--
100+
￥5.38
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750+
￥4.98
--
1500+
￥4.75
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3000+
￥4.52
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI7450DP-T1-E3参数
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 200V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 200V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.2A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 80 毫欧 @ 4A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 42nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 1.9W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
SI7450DP-T1-E3手册
SI7450DP-T1-E3概述
产品概述：SI7450DP-T1-E3 MOSFET
1. 产品背景
SI7450DP-T1-E3 是由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 PowerPAK® SO-8 封装。该器件具有卓越的电气性能和广泛的应用场景，专为高电压和高电流需求的电子电路设计而制造。
2. 主要特性
- 封装类型：采用 PowerPAK® SO-8 表面贴装封装，这种封装形式显著提高了散热性能并且便于自动化焊接。
- 漏源极电压 (Vdss)：该 MOSFET 能承受高达 200V 的漏源极电压，使其在高压应用中表现出色。
- 连续漏极电流 (Id)：在 25°C 环境温度下，其连续漏极电流达到 3.2A，适合多种电力电子应用。
- 栅源电压 (Vgss)：在 ±20V 的栅源电压作用下，确保设备的稳定性和安全性。
- 导通电阻 (Rds(on))：最大导通电阻为 80 毫欧，在 10V 的栅电压和 4A 的漏极电流下表现良好，有助于降低功耗和发热。
- 驱动电压：6V 至 10V 的驱动电压选项为设计师提供了灵活性，满足不同电路的需求。
- 栅极阈值电压 (Vgs(th))：最大阈值电压为 4.5V，适合低电压驱动的应用。
- 栅极电荷 (Qg)：最大栅极电荷为 42nC，表明其在开关操作时的高效性，适用于高频率的开关电源及驱动电路。
- 功率耗散：最高功率耗散能力达到 1.9W，适合于大功率应用。
- 工作温度范围：从 -55°C 到 150°C 的工作温度范围使其适用于各种极端环境，确保可靠性和耐用性。
3. 应用领域
SI7450DP-T1-E3 MOSFET 可广泛应用于以下领域：
- 电源管理：用于开关电源、高效 DC-DC 转换器，能够有效管理电源分配。
- 电机驱动：适合于电机控制电路，如直流电机驱动和步进电机驱动。
- 照明控制：在 LED 驱动和调光系统中表现突出。
- 汽车电子：由于其宽工作温度范围，适合用于汽车电子设备，例如电源转换器和驱动控制单元。
- 消费电子：可应用于个人电子设备中的电源开关和负载开关。
4. 结论
SI7450DP-T1-E3 MOSFET 是一款具有优异性能和广泛适用性的电子元器件，凭借其高电压、高电流承载能力、低导通电阻和优秀的热管理性能，成为现代电子设计中不可或缺的重要组成部分。无论是在高效的电源管理、敏捷的电机控制，还是在严苛的工作环境中，这款 MOSFET 都能为电子工程师提供完善的解决方案和优良的电路性能表现。使用 SI7450DP-T1-E3，设计师能够更自由地发挥创意，推动创新应用的发展。