SI7148DP-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK® SO-8
包装 :
编带
重量 :
0.131g
描述 :
场效应管(MOSFET) 5.4W；96W 75V 28A 1个N沟道 PowerPAK-SO-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
15.32按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥15.32
--
100+
￥13.92
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750+
￥13.51
--
1500+
￥13.25
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI7148DP-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 75V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 28A |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 11mΩ @ 15A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 5.4W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 28A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11 毫欧 @ 15A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 100nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2900pF @ 35V | 功率耗散（最大值） | 5.4W（Ta），96W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 | 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SI7148DP-T1-GE3手册
SI7148DP-T1-GE3概述
SI7148DP-T1-GE3 产品概述
概述
SI7148DP-T1-GE3是由Vishay（威世）制造的一款高效能N沟道MOSFET，采用了先进的PowerPAK® SO-8封装。这款器件专为高开关频率和低功耗应用而设计，具有出色的导通性能和热管理能力。它的漏源电压（Vds）为75V，连续漏极电流（Id）在25°C时高达28A，非常适合用于需要强大功率和热性能的电子电路。
主要参数
- 漏源电压（Vdss）：最大75V，允许在较高的电压下安全操作，适用于电源管理和电机驱动等应用。
- 连续漏极电流（Id）：高达28A（在25°C环境条件下），确保设备在严苛条件下仍能保持良好的性能输出。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：2.5V @ 250µA，表明MOSFET在非常低的栅电压下就能开始导通，这为低电压操作提供了便利。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：在10V驱动电压和15A电流下，最大为11mΩ，能够有效降低开关损耗并提升电路效率。
- 最大功率耗散：系统可承受的功率为5.4W（在Ta=25°C下），和96W（在Tc条件下），确保其在高负载情况时不会过热。
- 工作温度范围：-55°C至150°C（TJ），适应于多种严苛环境条件，尤其适合汽车和工业应用。
- 驱动电压：支持最大10V的驱动电压，为简单的栅驱动电路提供了便利。
- 封装类型：表面贴装型的PowerPAK® SO-8，提供高密度设计和良好的散热性能。
应用领域
SI7148DP-T1-GE3广泛应用于各种电子设备和系统，特别是在：
- 电源管理：用于DC-DC转换器、功率开关和电源供给系统，提高整体能效。
- 电机控制：在电动机驱动和控制系统中，作为开关元件实现高效能运作。
- 汽车电子：适合于汽车内部各种电子控制单元，满足严酷环境下的运作需求。
- 消费电子：广泛应用于如移动设备、蓝牙设备和家电等轻量级消费电子产品。
优势与特色
- 高效能：低电阻和高电流能力使得SI7148DP-T1-GE3在高频开关条件下仍然保持良好的导电性和能效。
- 可靠性：优秀的工作温度范围和高功率耗散能力，确保器件在长时间和严苛环境下的稳定运行。
- 简易集成：表面贴装封装设计，便于自动化生产线的焊接，增加整体设计的灵活性与密度。
结论
SI7148DP-T1-GE3是一款多功能、高效能的N沟道MOSFET，适用于各种具有挑战性的应用场景。凭借其优越的性能参数和可靠的工作条件，SI7148DP-T1-GE3为设计者们提供了理想的解决方案，能够满足现代电路设计对效率、可靠性和体积的严苛要求。无论用于工业应用、汽车电子，还是消费电子，这款MOSFET都能够为您的设计增添强大的动力支持。