SI6913DQ-T1-GE3
SI6913DQ-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 12V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4.9A |
| 栅源极阈值电压 | 900mV @ 400uA | 漏源导通电阻 | 21mΩ @ 5.8A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 830mW | 类型 | 双P沟道 |
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.9A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 21 毫欧 @ 5.8A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 400µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 28nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大值 | 830mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
SI6913DQ-T1-GE3手册
SI6913DQ-T1-GE3概述
产品概述：SI6913DQ-T1-GE3
SI6913DQ-T1-GE3 是一款由 VISHAY（威世）公司制造的高性能双 P 沟道场效应管（MOSFET），封装形式为 8-TSSOP（0.173 英寸，4.40mm 宽），专为以高效能和高可靠性为核心的应用设计。其最佳性能表现使其在多个领域得到了广泛的应用，包括电源管理、负载开关、马达驱动和其他需要高效率、低功耗的电路设计。
主要电子特性
漏源电压（Vdss）： SI6913DQ-T1-GE3 的漏源电压最大为 12V，使其适用于多个低压电源应用，提供了稳定的电压控制能力。
连续漏极电流（Id）： 在 25°C 环境下，该器件的连续漏极电流可达 4.9A。这一特性提供了出色的电流承受能力，适应多种应用场景。
导通电阻（Rds(on)）： 该MOSFET在5.8A和4.5V的条件下，其漏源导通电阻最大值为 21mΩ，这意味着其能够在相对较小的电压降下传输更大的电流，从而提高系统的效率并降低发热。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）： 在 400µA 的条件下，该器件的栅源阈值电压最大值为 900mV。这使得该MOSFET能够与逻辑电平驱动电路直接兼容，简化了整体设计。
栅极电荷（Qg）： 在 4.5V 的条件下，栅极电荷最大值为 28nC。这一特性意味着在切换操作时，器件的驱动功耗较低，有利于提升开关频率和系统效率。
可靠性与功率
SI6913DQ-T1-GE3 具备较高的功率耗散能力，最大功率耗散为 830mW（在环境温度 25°C 下），这赋予该器件在较高负载条件下的可靠性。此外，其工作温度范围广，能够在 -55°C 到 150°C 的极端环境中稳定工作，适合多种工业应用和苛刻的环境条件。
应用领域
电源管理： SI6913DQ-T1-GE3 适合用于电源开关、DC-DC 转换器和其他电源管理电路中，其高导通效率和低开关损耗对提高电源转换效率非常关键。
负载开关： 双 P 沟道特性使得该MOSFET易于实现高侧或低侧开关的设计，广泛应用于各种负载切换场景。
马达驱动： SI6913DQ-T1-GE3 的高电流能力和快速开关特性，使其适合马达控制和驱动应用，帮助实现更高效能的电机控制方案。
逻辑电平运用： 由于其低门槛电压和逻辑兼容特性，SI6913DQ-T1-GE3 可以轻松与微控制器、FPGA 等数字电路直接接口，简化电路设计。
封装与安装
该器件采用了 8-TSSOP 封装，使其具有较小的表面安装占用面积，适合于要求酷节省空间的现代电子产品设计。其表面贴装设计容易与自动化焊接设备兼容，加速了生产过程。
总结
总的来说，SI6913DQ-T1-GE3 是一款高效能、可靠性高且适用范围广的双 P 沟道 MOSFET。这款器件凭借其优异的电气特性、宽工作温度范围和出色的性能，非常适合趋向高效率和紧凑设计的现代电子系统。在开关电源、马达驱动、负载开关等应用中，SI6913DQ-T1-GE3 显示了其强大的竞争力与广阔的应用潜力。