SI4952DY-T1-GE3

SI4952DY-T1-GE3 产品概述

产品简介

SI4952DY-T1-GE3是一款由VISHAY（威世）制造的高性能双N沟道场效应晶体管（FET），采用8-SOIC表面贴装封装。这款器件专为低电平逻辑电路设计，具有出色的电流承载能力和低导通电阻，非常适用于开关和线性应用。

主要参数

1. 封装与外形

   • 封装类型：8-SOIC（0.154”，3.90mm宽），使得这一器件适合在空间有限的电路板上使用，尤其是在现代微型化设备中。

2. 电气特性

   • 漏源极电压（Vdss）：25V，意味着SI4952DY-T1-GE3适合于低压应用，能够在25V的电压下稳定工作。
   • 连续漏极电流（Id）：8A，代表在正常工作条件下，器件能够安全承载的最大电流值。
   • 导通电阻（Rds(on)）：最大值为23毫欧在7A和10V的条件下，显示出优异的低导通电阻特性，有利于降低功耗和热生成。
   • 栅源电压阈值（Vgs(th)）：最大值为2.2V @ 250µA，确保在较低电压下也能够有效开启FET。
   • 栅极电荷（Qg）：最大值为18nC @ 10V，较低的栅极电荷值可以减少驱动电路的功耗和损耗，提升开关速度。
   • 输入电容（Ciss）：680pF @ 13V，提供了良好的高频性能。

3. 功率与热特性

   • 功率最大值：2.8W，保证了在高负载条件下器件的安全运行。
   • 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ），使得该器件在极端环境下也能稳定工作，适合汽车、工业和航空等苛刻的应用场景。

4. 特殊功能与应用

   • 由于其逻辑电平门的特性，SI4952DY-T1-GE3可以直接由低电压逻辑电路驾驶，简化了系统设计。
   • 适合用于电源开关、马达控制、LED驱动等多种应用，广泛应用于消费电子、工业自动化、电动工具和汽车电子等领域。

应用领域

SI4952DY-T1-GE3由于其小尺寸、低功耗及高性能的特点，适用于多种应用，包括：

• 封装小型驱动器：能够在小空间内高效驱动负载。
• 逻辑开关：适合用于各种数字电路的开关应用。
• 高效率电源管理：在功率转换和电源管理电路中表现出色。
• 电流控制：在需要高电流控制的设备中，比如马达控制和电动工具。

竞争优势

VISHAY作为全球领先的电子元器件制造商，其产品受到业界的广泛认可。SI4952DY-T1-GE3凭借以下优势在市场中脱颖而出：

• 高效率：低导通电阻和低栅极电荷设计使器件在开关过程中表现出很低的能量损耗。
• 宽工作范围：极端温度和电流条件下的稳定性，适用于各种应用需求。
• 易于集成：8-SOIC封装支持SMT（表面贴装技术），便于自动化生产和组装。

结论

SI4952DY-T1-GE3是一款性能优越、可靠性高的双N沟道FET，具有优秀的电气和热性能，适合多种现代电子产品的需求。其优异的参数设计使其在瞬时开关特性和低功耗方面表现尤为突出，是电源管理和动力控制领域的理想选择。对于需要在紧凑空间内实现高效电能转化的应用，SI4952DY-T1-GE3无疑是一个值得考虑的优选组件。