SI4477DY-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
8-SO
包装 :
编带
重量 :
0.245g
描述 :
场效应管(MOSFET) 3W；6.6W 20V 26.6A 1个P沟道 SOIC-8
库存 :
10967(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
4.84按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥4.84
--
100+
￥4.02
--
1250+
￥3.66
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI4477DY-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 26.6A |
| 栅源极阈值电压 | 1.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 6.2mΩ @ 18A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 3W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 26.6A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.2 毫欧 @ 18A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 190nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4600pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 3W（Ta），6.6W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SO | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
SI4477DY-T1-GE3手册
SI4477DY-T1-GE3概述
SI4477DY-T1-GE3 产品概述
概述
SI4477DY-T1-GE3是由VISHAY（威世电子）生产的一款优质P沟道MOSFET（场效应管），专为需要高效能和可靠性的电子应用而设计。该器件的显著特点包括其低导通电阻、高漏源电流能力和广泛的工作温度范围，使其适用于多种场合，比如开关电源管理、马达驱动和负载控制等。
主要参数
- 漏源电压（Vdss）: SI4477DY-T1-GE3的漏源电压最大为20V，使得它能够处理相对较低电压的应用场景。
- 连续漏极电流（Id）: 在25°C的环境温度下，该MOSFET可承受的连续漏极电流为26.6A。这一特性使得它在高负载条件下表现出良好的稳定性和可靠性。
- 导通电阻（Rds(on)）: 在18A及4.5V的条件下，漏源导通电阻为仅6.2mΩ，确保在正常操作状态下能量损失最小化，从而提高整体系统效率。
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）: 该器件的栅源阈值电压为1.5V @ 250µA，便于设计中合理选择控制信号电平，提供较为灵敏的开关响应。
- 栅极电荷（Qg）: 在10V时，栅极电荷最大值为190nC，使得在快速开关应用中仍能保持良好的性能。
- 输入电容（Ciss）: 最大输入电容为4600pF @ 10V，影响开关频率和动态响应，适合高频应用。
环境与封装
SI4477DY-T1-GE3支持的工作温度范围为-55°C至150°C，使其在极端温度环境中依然能够正常工作。该器件采用8-SOIC封装（0.154"，3.90mm 宽），便于表面贴装，适合各种紧凑型电路设计。
应用领域
SI4477DY-T1-GE3广泛应用于需要高电流和低压降的场景，如：
- 电源管理: 在开关电源（SMPS）设计中，该MOSFET能够作为高效的开关组件，优化能量转化效率。
- 马达驱动: 在电动马达控制系统中能提供可靠的导通性能，确保马达以最佳效率运行。
- 负载控制: 在各类负载开关应用中，将其用于低电压高电流的负载控制，已经成为行业标准。
结论
SI4477DY-T1-GE3是一款性价比高、性能优异的P沟道MOSFET元器件。在电气参数和热特性方面的出色表现，使其在现代电子设计中扮演着不可或缺的角色。设计师可以利用这款器件在多种应用中，实现高效、安全的电路设计。不论是在电源管理、马达控制，还是其他高性能的负载切换应用中，SI4477DY-T1-GE3都能够满足苛刻的设计要求，是值得信赖和广泛使用的解决方案。