漏源电压(Vdss) | 30V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 9A(Tc) |
栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 32mΩ @ 7A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 4.2W(Tc) | 类型 | P沟道 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 32 毫欧 @ 7A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 38nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1006pF @ 15V | 功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta),4.2W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 8-SO | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
SI4431CDY-T1-GE3 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,属于 Vishay(威世)品牌,专为高效能驱动和功率控制应用而设计。其主要特点包括30V的漏源电压和高达9A的连续漏极电流,符合多种工业和消费电子产品的需求。这款器件采用表面贴装型 SOIC-8 封装,其宽度为0.154英寸(3.90mm),适用于各种紧凑型电路板设计。
由于其优良的电气和热性能,SI4431CDY-T1-GE3 可以广泛应用于多个领域,包括但不限于:
SI4431CDY-T1-GE3 的设计旨在提供出色的导通特性和热管理性能。在实际应用中,器件的漏源导通电阻(Rds(on))值为32mΩ,这使得其在进行高电流的开关操作时,能够有效地降低功耗和发热。此外,器件的最大功率耗散可达到4.2W(在添制冷条件下),使其在高负荷条件下也能可靠工作。
在设计使用 SI4431CDY-T1-GE3 的电路时,需要注意以下几点:
SI4431CDY-T1-GE3 是一款可靠的 P 通道 MOSFET,适用于各种高效能的功率管理和控制应用。经过优化的电气特性与良好的热管理能力,确保其在各类苛刻环境下亦能表现出色。无论是在电源管理、电机驱动还是消费电子产品中,SI4431CDY-T1-GE3 都是补充和增强电路性能的理想选择。