SI4401DDY-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
8-SO
包装 :
编带
重量 :
0.245g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.5W；6.3W 40V 16.1A 1个P沟道 SOIC-8
库存 :
29952(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
2.15按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.15
--
100+
￥1.65
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1250+
￥1.44
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2500+
￥1.36
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25000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI4401DDY-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 16.1A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 15mΩ @ 10.2A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 6.3W(Tc) | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16.1A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15 毫欧 @ 10.2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 95nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3007pF @ 20V | 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），6.3W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SO | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
SI4401DDY-T1-GE3手册
SI4401DDY-T1-GE3概述
产品概述：SI4401DDY-T1-GE3 MOSFET
简介
SI4401DDY-T1-GE3是由威世半导体（Vishay）公司生产的一款高性能P沟道场效应管（MOSFET），广泛应用于各种电源管理和电子控制系统。该器件以其优良的电气性能、低导通电阻以及较高的功率处理能力，成为许多应用领域的理想选择。
关键参数
- 漏源电压（Vdss）：该器件能够承受最大 40V 的漏源电压，适用于低到中压的应用需求。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C时，SI4401DDY-T1-GE3的连续漏极电流可达到16.1A（在集成散热条件下），确保其在负载下的稳定工作。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：该MOSFET在 2.5V @ 250µA 的阈值电压下工作，适合低电压驱动，简化了电路设计。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：在10.2A流量与10V驱动电压下，其漏源导通电阻为15mΩ，这一特性使得该器件在开关状态下能显著减少能量损耗。
- 最大功率耗散：SI4401DDY-T1-GE3在环境温度 (Ta) 为25°C时，最大功率耗散为2.5W，而在结温 (Tc) 为25°C时最大能处理达6.3W，适应多种散热条件。
- 工作温度范围：该器件的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，使其能够在严苛的环境条件下稳定运行。
封装与安装
SI4401DDY-T1-GE3采用表面贴装型封装（SOIC-8），外形尺寸为0.154"（3.90mm宽），方便在现代电子设备中的集成。适宜的封装形式不仅提高了元器件在PCB上的适应性，还有效降低了引脚间干扰的风险。
应用场景
SI4401DDY-T1-GE3的特性使其广泛应用于以下领域：
电源管理：适用于开关电源、电池管理系统等。低导通电阻和高效性能使其能够在高效能电源设计中发挥重要作用。
驱动电路：适合用于驱动DC负载（如马达、灯具），提供快速的开关响应，提升整体系统效率。
汽车电子：能够在汽车电气系统中有效控制高功率负载，其高耐温设计确保了在汽车环境中的可靠性。
消费电子：在电视、音响等家电产品中作为开关元件使用，帮助降低能耗并延长设备使用寿命。
总结
SI4401DDY-T1-GE3是一款在电源管理和驱动电路中表现卓越的P沟道MOSFET，其设计充分考虑了现代电路对高效、稳定、可靠元件的需求。凭借其优异的电气性能、灵活的工作温度范围以及适合的封装形式，SI4401DDY-T1-GE3为各类电子产品提供了强有力的支持。无论是在工业应用、汽车电子还是消费电子领域，这款MOSFET都能够帮助工程师实现更高的设计目标。