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SI2333DDS-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
SOT-23-3（TO-236）
包装 :
编带
重量 :
0.035g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.2W；1.7W 12V 6A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
50938(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
1.01按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.01
--
200+
￥0.777
--
1500+
￥0.676
--
3000+
￥0.588
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI2333DDS-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 12V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 6A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 28mΩ @ 5A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.7W(Tc) | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 28 毫欧 @ 5A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 35nC @ 8V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1275pF @ 6V | 功率耗散（最大值） | 1.2W（Ta），1.7W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
SI2333DDS-T1-GE3手册
SI2333DDS-T1-GE3概述
产品概述：SI2333DDS-T1-GE3 MOSFET
概述 SI2333DDS-T1-GE3 是一款高性能的 P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名供应商 VISHAY（威世）生产。此器件主要适用于低电压和中等功率的开关应用，广泛应用于电源管理、负载开关和其他数字电路等场合，因其良好的导通性能和较低的导通电阻而受到工程师的青睐。
电气特性 SI2333DDS-T1-GE3 MOSFET 的主要电气特性如下：
- 漏源电压（Vdss）: 该元件的最大漏源电压为 12V，适合于低电压应用的需求。
- 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的条件下，其连续漏极电流可达 6A。这使得其在中等负载条件下能稳定运行。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 该参数为 1V @ 250µA，表明 MOSFET 在低驱动电压下也能有效开启，适合与低电压控制电路配合使用。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 在 4.5V 的栅极电压及 5A 的漏极电流下，该器件的导通电阻仅为 28mΩ。这种低 Rds(on) 特性意味着在开关状态下能有效减少功耗和热量产生。
- 栅极电荷（Qg）: 最大值为 35nC @ 8V，表明其驱动栅极所需的电荷较少，方便快速开关。
热特性 SI2333DDS-T1-GE3 的功率耗散特性非常好：
- 最大功率耗散: 在环境温度（Ta）为 25°C 时，最大功率耗散为 1.2W；而在结温（Tc）为 25°C 时最大功率耗散可达 1.7W。这使得其在长时间工作情况下仍能保持良好的热稳定性。
工作条件与安装
- 工作温度范围: 该器件支持的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，适合于严苛环境下的应用。
- 封装形式: SI2333DDS-T1-GE3 采用 SOT-23-3（TO-236）表面贴装封装，体积小巧，适合于高密度布线电路板的设计。
应用场景 该 MOSFET 特别适用于以下应用场合：
- 电源管理: 在电源开关、电压调节器等电路中，能够有效地控制高低电平的转变。
- 负载开关: 控制不同负载的通断，例如在汽车和工业设备中的应用。
- 信号开关: 在数字电路中作为信号开关，处理小信号的通断。
总结 SI2333DDS-T1-GE3 MOSFET 是一款高效、可靠的 P沟道 MOSFET，拥有良好的导通特性、低功耗和高温适应性，非常适合现代电子设备和系统的设计需求。结合其小巧的 SOT-23 封装形式， SI2333DDS-T1-GE3 成为各种电子应用的理想选择。