SI2318DS-T1-E3
SI2318DS-T1-E3参数
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 45mΩ @ 3.9A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 750mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 毫欧 @ 3.9A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 15nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 540pF @ 20V | 功率耗散（最大值） | 750mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
SI2318DS-T1-E3手册
SI2318DS-T1-E3概述
SI2318DS-T1-E3 产品概述
产品简介
SI2318DS-T1-E3 是一款由 VISHAY（威世）公司生产的 N 型 MOSFET（场效应晶体管），其设计旨在满足多个电子应用的需求。这款 MOSFET 具有电源管理、开关电源和线性调节器等广泛应用。凭借其卓越的性能和优良的热特性，SI2318DS-T1-E3 是现代电子设计中不可或缺的关键元件之一。
主要规格参数
- 漏源电压 (Vdss): 40V
- 连续漏电流 (Id): 3A（在 25°C 时）
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 3V @ 250µA
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 45mΩ @ 3.9A, 10V
- 最大功率耗散 (Pd): 750mW（在环境温度 25°C 下）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 封装类型: SOT-23-3（TO-236）
性能特点
高效能和低导通电阻: SI2318DS-T1-E3 的漏源导通电阻为 45mΩ，这一特性使得其在较大电流下（如 3.9A）能够呈现出低功耗，进而提高能效和减少热量产生。
宽工作电压范围: 该 MOSFET 的漏源电压能够支持最高 40V，适合用于电压要求较高的应用场景。
良好的热性能: 在 25°C 环境温度下，该元器件的最大功率耗散可以达到 750mW，这使其在高负载条件下依然可以稳定工作，从而增强了系统的可靠性。
适用于高速开关: SI2318DS-T1-E3 的栅极电荷 (Qg) 高达 15nC @ 10V，这意味着在快速开关操作中可以获得较高的效率。尤其在开关电源和 DC-DC 转换器的应用中，其性能表现尤为出色。
广泛的温度适应性: 该器件的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，使得它能够在各种严苛环境下稳定运行，适合汽车、工业和航空航天等领域。
应用领域
由于其优异的性能参数和稳定的工作特性，SI2318DS-T1-E3 MOSFET 可广泛应用于以下领域:
- 电源管理: 适用于开关电源和线性稳压器电路。
- 电机驱动: 在无刷直流电机驱动和步进电机控制中表现优异。
- 数据通信: 用于功率放大器、电信行业的开关电路。
- 消费电子: 包含手机、平板电脑和其他便携设备的电源管理电路。
封装与布局
SI2318DS-T1-E3 采用 SOT-23-3（TO-236）表面贴装封装，体积小，适合现代小型化电子设备的需求。该封装设计也有助于降低整体的电路板空间占用，使得设计师可以灵活布置电路。这种封装方式也提高了散热性能，进而提升了MOSFET的可靠性。
总结
VISHAY 的 SI2318DS-T1-E3 N 型 MOSFET 代表了现代电子组件在性能与功能上的完美结合。凭借其卓越的电性能、宽广的工作温度范围，以及小型的封装设计，它为电源管理和开关应用提供了强有力的支持。此款 MOSFET 是高效电源设计的理想选择，能够在各种严苛的工作条件下维持稳定性能，从而满足各种应用的需求。