SI1539CDL-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
SOT-363
包装 :
编带
重量 :
0.05g
描述 :
场效应管(MOSFET) 340mW 30V 700mA；500mA 1个N沟道+1个P沟道 SC-70-6(SOT-363)
库存 :
3390(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
1.16按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.16
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200+
￥0.897
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1500+
￥0.78
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3000+
￥0.678
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI1539CDL-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 700mA,500mA |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 388mΩ @ 600mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 340mW | 类型 | N沟道和P沟道 |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 700mA，500mA | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 388 毫欧 @ 600mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.5nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 28pF @ 15V | 功率 - 最大值 | 340mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 供应商器件封装 | SOT-363 |
SI1539CDL-T1-GE3手册
SI1539CDL-T1-GE3概述
SI1539CDL-T1-GE3 产品概述
产品名称: SI1539CDL-T1-GE3
品牌: VISHAY（威世）
封装类型: SOT-363 (6-TSSOP, SC-88)
类别: N沟道和P沟道MOSFET
1. 产品简介
SI1539CDL-T1-GE3 是一款高性能的场效应管（MOSFET），专为低压和中功率应用设计。其具有良好的开关特性和低导通电阻，使其在各种电子电路中表现出色。该器件同时包含N沟道和P沟道两种MOSFET，能够满足多种电路需求，包括电源管理、负载开关、信号开关和线性调节器等。
2. 关键参数
- 漏源电压（Vds）: 最高可达30V，适于低居电压环境。
- 连续漏极电流（Id）: N沟道为700mA，P沟道为500mA（在25°C时），为负载提供合理的电流能力。
- 栅源电压阈值（Vgs(th)）: 2.5V @ 250µA，确保在逻辑电平驱动下的高效开关操作。
- 导通电阻（RDS(on)）: 在10V的栅源电压下，导通电阻最大为388mΩ（600mA），降低了功率损耗并提高了电路效率。
- 最大功率耗散: 在25°C环境下的最大功率耗散为340mW，适合于低功耗应用场合。
- 工作温度范围: -55°C至150°C的宽温度范围，适应于各种极端环境下的应用。
3. 电气特性
- 栅极电荷（Qg）: 最大值为1.5nC @ 10V，代表在开关过程中需要的栅极驱动能力，较小的栅电荷使得更高的开关频率成为可能。
- 输入电容（Ciss）: 最大28pF @ 15V，确保元件在逻辑电平下的快速开关响应。
4. 应用场景
SI1539CDL-T1-GE3适用于以下应用：
- 功率管理: 用于提供高效的电源管理解决方案。
- 开关电源: 在开关电源电路中作为开关元件，用于实现高效电能转换。
- 负载开关: 适合作为负载开关控制电路，能够高效地打开或关闭负载。
- 信号开关: 可以应用于信号通路的开关，满足高速开关需求。
5. 封装和安装
SI1539CDL-T1-GE3采用SOT-363封装，属于表面贴装型设计，减小了电路板空间需求并提高了制造效率。该封装便于高密度PCB设计，适合自动化贴片。
6. 结论
总的来说，VISHAY的SI1539CDL-T1-GE3 MOSFET结合了优良的电气性能、宽广的工作温度范围和紧凑的封装设计，适合多种低压和中功率应用场景。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域，它都能提供高效可靠的解决方案，是设计工程师的理想选择。