SI1016X-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
SC-89-6
包装 :
编带
重量 :
0.052g
描述 :
场效应管(MOSFET) 250mW 20V 485mA；370mA 1个N沟道+1个P沟道 SOT-563
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
2.2按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.2
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100+
￥1.76
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750+
￥1.57
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1500+
￥1.48
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3000+
￥1.41
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18000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI1016X-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 485mA,370mA |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 700mΩ @ 600mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 250mW | 类型 | N沟道和P沟道 |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 485mA，370mA | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 700 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.75nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大值 | 250mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装 | SC-89-6 |
SI1016X-T1-GE3手册
SI1016X-T1-GE3概述
产品概述：SI1016X-T1-GE3
概述
SI1016X-T1-GE3是一款高性能的N沟道和P沟道场效应管（MOSFET），由知名电子元器件制造商VISHAY（威世）生产。其独特的设计和优良的电气特性使其在各种应用中发挥重要作用，包括电源管理、开关电路和逻辑电平接口。
关键参数
- 漏源电压（Vdss）: 最高可达20V，适用于低压电源应用。
- 连续漏极电流（Id）: 在25°C条件下，N沟道最大可达485mA，P沟道为370mA，提供了可靠的电流承载能力。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 1V @ 250µA，确保在低栅压条件下能够快速开启。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 在4.5V下600mA条件下为最大700mΩ，能够有效降低功耗和发热。
- 最大功率耗散: 能够承受250mW的功率损耗，保证在高负载情况下的稳定性。
- 工作温度范围: 可在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作，适合恶劣环境条件下的应用。
封装与安装
SI1016X-T1-GE3采用SC-89-6封装，具有表面贴装的特点，使其适配现代小型化电子设备的设计需求。SOT-563和SOT-666的封装形式极大地提高了设备的集成度和散热性能，便于在紧凑空间中可靠地安装。
应用领域
由于其优秀的电气性能和广泛的工作温度范围，SI1016X-T1-GE3适用于以下多个领域：
- 电源管理: 在电源转换和电源调节中，能够高效地控制电流流向，提供卓越的电源效率。
- 开关电路: 适合用作开关元件，在负载控制和信号切换中发挥作用，有效降低系统待机功耗。
- 逻辑电平接口: 作为逻辑电平门，适合在微控制器和其他数字电路中进行信号接口。
设计推荐
在使用SI1016X-T1-GE3时，建议设计者充分考虑其栅极驱动电压和负载特性。对于不同应用场景，可以根据具体的工作条件调整栅源电压（Vgs）以实现最佳的导通状态，降低损耗。此外，保持适当的散热设计对于提高整体系统的可靠性和稳定性至关重要。
竞争优势
SI1016X-T1-GE3在众多同类产品中具有明显的竞争优势：
- 低导通电阻: 使器件在开关状态时能量损耗更少，提升整体效率。
- 宽温度范围: 使其可在各种苛刻环境下稳定工作，满足工业和汽车等领域的需求。
- 小型化封装: 适合现代电子产品对空间和性能的高要求。
结论
综合来看，SI1016X-T1-GE3是一款性能优良、用途广泛的MOSFET，凭借其低导通电阻、宽工作温度范围和小巧封装，成为电源管理和开关控制应用的理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域，SI1016X-T1-GE3都能够为设计师提供强有力的支持和保障。在为您的项目选择元器件时，SI1016X-T1-GE3无疑是一个值得信赖的选择。