直流反向耐压(Vr) | 30V | 平均整流电流(Io) | 100mA |
正向压降(Vf) | 370mV @ 10mA | 二极管类型 | 肖特基 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 30V | 电流 - 平均整流 (Io) | 100mA |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 370mV @ 10mA | 速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 4µA @ 30V | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 0201(0603 公制) | 供应商器件封装 | 2-X3-DFN0603 |
工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C |
SDM02U30LP3-7B 是一款高性能的肖特基二极管,由全球知名的电子元器件供应商DIODES(美台)制造。该元件设计用于满足高效能整流的需求,广泛应用于电源管理、数据传输、开关电源和其他特殊电路中。
直流反向耐压(Vr): 最大30V,这一特性使它适合在需要中等电压操作的电路中使用,能够有效抵抗反向电压带来的击穿风险。
平均整流电流(Io): 100mA,使其能在多种应用中有效地传输电流,可以满足大多数小信号处理的需求。
正向压降(Vf): 在10mA电流下,其正向压降为370mV。这一低压降特性减少了功率损耗,提高了电路的能效,尤其在需要长时间工作的设备中表现尤为突出。
反向泄漏电流: 在30V的反向电压下,反向漏电流仅为4µA,这表明其具有优秀的反向阻断能力,能够有效地降低在实际应用中因反向漏电而导致的能量损耗。
速度特性: 能够处理小信号且支持任意速度的操作,这使得SDM02U30LP3-7B可应用于高频率应用场景,如开关电源和射频电路。
封装类型: 采用0201(0603公制)表面贴装型封装,最小化了电路板的空间占用,适合对空间要求严格的小型设备。
封装/外壳: 具体的封装为X3-DFN0603,确保元件在复杂电路中的稳固连接和良好的热性能。
工作温度范围: 该二极管能够在-65°C至150°C的温度范围内工作,满足各种环境条件下的使用需求,尤其适合用于航空航天及工业操作环境。
SDM02U30LP3-7B的独特特性使其适用于多个领域的应用,包括但不限于:
总的来说,SDM02U30LP3-7B 是一款高效且技术先进的肖特基二极管,其在电压、功率损耗和空间占用方面的优越性能,使其成为许多现代电子应用的理想选择。无论是在开关电源、数据整流还是电池管理方面,该产品都展现出出色的能力,能够满足行业对高效、可靠元件的需求。选择SDM02U30LP3-7B,您将获得一款能够为您的电路和设备提供优秀性能的电子元器件。