直流反向耐压(Vr) | 200V | 平均整流电流(Io) | 1A |
正向压降(Vf) | 820mV @ 1A | 二极管类型 | 超级势垒 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 200V | 电流 - 平均整流 (Io) | 1A |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 820mV @ 1A | 速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
反向恢复时间 (trr) | 25ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 50µA @ 200V |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | POWERDI®123 |
供应商器件封装 | PowerDI™ 123 | 工作温度 - 结 | -65°C ~ 175°C |
SBR1U200P1-7 产品概述
SBR1U200P1-7 是一款高性能的超级势垒整流器,其设计旨在满足高效能源转换和节能应用的需求。该器件由知名品牌 DIODES(美台)生产,采用了先进的半导体技术,广泛适用于多种电子设备中,如开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和其他的逆变器应用。
基础参数与性能
直流反向耐压(Vr): SBR1U200P1-7 的直流反向耐压高达200V,使其能够承受较高的反向电压负载,适应各种工作环境的需求。这一点尤其适合用于需要高电压工作条件的电源管理和电力转换应用。
平均整流电流(Io): 该整流器能够支持1A的平均整流电流,适用于需要稳定直流电源的小型至中型负载。这使得 SBR1U200P1-7 能够在各种电流条件下可靠工作,保证设备的正常运转。
正向压降(Vf): 在额定工作条件下,SBR1U200P1-7 的正向压降为820mV @ 1A。这种较低的正向压降减少了能量损失,提高了整体能效,同时也降低了热损耗,延长了设备的使用寿命。
反向恢复特性: 该器件具备快速恢复特性,反向恢复时间(trr)仅为25ns,适合高频开关应用。这一特性对于提升转换效率和减少开关损失尤为重要,特别是在开关电源和逆变器等应用场景中。
反向泄漏电流: 在200V的高反向电压下,SBR1U200P1-7 的反向泄漏电流仅为50µA,显示出其良好的电气稳定性和优越的反向电流控制能力。这一特性使得整流器在待机状态下消耗的功率极低,有效地提升了整体系统的能效。
封装与安装特性
SBR1U200P1-7 采用 PowerDI®123 封装,这种表面贴装型封装设计具有良好的散热性能和小型化优势,适合于高密度布板的应用。PowerDI™ 123 封装不仅有助于减小电路空间,同时也保证了产品的稳定性和可靠性。此外,封装内的结构设计优化了电气特性,使得该器件在高频和高电流条件下表现出色。
工作环境与温度范围
该器件的工作温度范围宽广,结温可以承受-65°C 到 175°C 的极端环境,显示出其良好的热适应能力。无论是在极寒的环境条件下,还是在高温工况中,SBR1U200P1-7 均能保持稳定的电气性能,为终端产品提供可靠保证。
应用领域
因其出色的电气特性与高耐压能力,SBR1U200P1-7 被广泛应用于:
总结
总之,SBR1U200P1-7 是一款集高效能、低能耗、高耐压和良好散热性能于一体的超级势垒整流器。其特色的设计和优良的电气特性使其在多个领域获得了广泛应用,成为实现高效能电源转换的重要选择。无论是在电子产品的设计还是在实际应用中,SBR1U200P1-7 都能够提供可靠的性能支持,助力产品的创新与发展。