反向恢复时间(trr) | 150ns | 直流反向耐压(Vr) | 400V |
平均整流电流(Io) | 1A | 正向压降(Vf) | 1.3V @ 1A |
二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 400V |
电流 - 平均整流 (Io) | 1A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.3V @ 1A |
速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | 反向恢复时间 (trr) | 150ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5µA @ 400V | 不同 Vr、F 时电容 | 15pF @ 4V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | DO-214AC,SMA |
供应商器件封装 | SMA | 工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C |
概述 RS1G-13-F 是一款由美台半导体(DIODES)公司生产的快恢复二极管,属于标准二极管系列,广泛应用于各种电子电路中。凭借其良好的电性能和适应性,该产品特别适合在高频和高压应用领域中使用。
主要参数
电气特性 RS1G-13-F 的反向恢复时间为150纳秒,这使其适合于快速开关应用中,能够在较高的频率下有效工作。该二极管的直流反向耐压高达400V,这为其在电源逆变器和其他高电压应用中的使用提供了极大的灵活性。
在1A的额定平均整流电流下,其正向压降为1.3V,这意味着在正常操作情况下,这款二极管能有效地减少功率损耗。高达400V的反向电压下,其反向漏电流仅为5微安,表明RS1G-13-F在高电压任务中具备优良的稳定性和可靠性。此外,其在1MHz频率下测试的电容值为15pF,显示出其在高频应用中的强大适应能力。
封装与安装 RS1G-13-F使用了SMA封装,具备surface mount技术(SMT)的优势,这使得它可以减少电路板的安装空间并提高生产效率。该封装设计也能有效提高热性能,确保二极管在高温环境下依然保持稳定的性能。
应用领域 RS1G-13-F广泛应用于各类电子设备中,包括:
工作温度与可靠性 RS1G-13-F的工作温度范围为-65°C至150°C,能够适应极端环境条件,这使其在严苛应用中具备长期稳定性。优异的工作温度范围确保其在多个行业应用中具备高度的可靠性和耐用性,能够有效抵御因温度波动造成的性能变化。
总结 RS1G-13-F代表了现代快恢复二极管技术的高标准,凭借其高效的电气特性、出色的封装设计和宽广的应用领域,它不仅满足了各类电子产品的基本需求,更为高性能电子设备的设计提供了支持。作为一款高效、经济性强的二极管,它在多个领域中的潜在应用无疑将为客户带来可观的经济效益和技术优势。