RE1C001UNTCL

RE1C001UNTCL 产品概述

一、产品简介

RE1C001UNTCL 是一款由全球领先的半导体制造商 ROHM（罗姆）公司推出的 N 型金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)，专为多种低功耗电子应用设计。该器件具有出色的性能参数，特别适用于需要高开关速度和低导通损耗的电路设计。其在 25°C 下的最大连续漏极电流可达 100mA，同时漏源电压可承受高达 20V，使其在各类电源管理和信号开关电路中表现优异。

二、主要规格

1. 漏源电压（Vdss）: 20V

   • 该特性使得 RE1C001UNTCL 能够适用于多种低压直流控制应用，确保可靠性和耐用性。

2. 连续漏极电流（Id）: 100mA（25°C 时）

   • 连续漏极电流的规格使其适合处理中等电流负载，并保证在正常操作条件下的稳定性。

3. 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 1V @ 100µA

   • 低阈值电压使得该器件能够在较低的栅极驱动电压下正常工作，有助于降低功耗并提高电路的整体效率。

4. 导通电阻（Rds(on)）: 最大 3.5Ω @ 100mA, 4.5V

   • 这一特性为用户提供了低导通损耗的优势，从而提升电路的能源使用效率。

5. 最大功率耗散（Ta=25°C）: 150mW

   • 在设计应用中，该 MOSFET 能够承受额外的功率负荷，适应不同的工作环境和散热条件。

6. 最高工作温度 (TJ): 150°C

   • 高工作温度范围增加了其在严苛环境下的应用可能性，提高了设计的灵活性。

7. 封装类型: EMT3F（SOT-416FL），SC-89，SOT-490

   • 小型封装设计适合现代电子设备中空间有限的应用需求，尤其是移动设备和便携式电子产品。

三、应用场景

RE1C001UNTCL 主要应用于各种电子电路中，包括但不限于以下几个领域：

1. 电源管理:

   • 可用于开关电源、DC-DC 转换器等电力驱动电路，提供可靠的电流控制和开关功能。

2. 信号开关:

   • 在信号通道中可用作快速开关，可用于替换传统的机械开关，降低功耗并提高响应速度。

3. 便携式电子设备:

   • 由于其小型化设计，该 MOSFET 适合应用于智能手机、平板电脑及其他便携式设备中，以优化电力效率与体积。

4. 家居自动化:

   • RE1C001UNTCL 可以用于智能家居设备中的各种控制和驱动电路，提升系统的智能化程度。

四、总结

RE1C001UNTCL 是一款性能可靠、灵活应用的 N 沟道 MOSFET，能够为各种电子设备提供稳定的开关控制和电源管理方案。其低漏源电压、高导通效率以及小型封装，使其在日益竞争激烈的电子市场中具备了良好的适应性和经济性。作为 ROHM 品牌的产品，RE1C001UNTCL 还体现了先进的半导体技术与高品质制造的优势，值得广大电子工程师和设计人员信赖和选用。