PSMN3R5-30YL,115
PSMN3R5-30YL,115参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 100A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 2.15V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 3.5mΩ @ 15A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 74W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 毫欧 @ 15A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 41nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2458pF @ 12V | 功率耗散（最大值） | 74W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 | 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 |
PSMN3R5-30YL,115手册
PSMN3R5-30YL,115概述
PSMN3R5-30YL,115 产品概述
简介 PSMN3R5-30YL,115 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。由知名半导体制造商 Nexperia（安世）生产，该器件在高电流和低导通电阻方面表现优异，非常适合高效能电源管理应用、工业控制和电动车辆等需要可靠、高效的电子元器件的场景。
技术规格
漏源电压（Vdss）: 该产品的最大漏源电压为 30V，使其能够在多种低至中等电压的应用中工作，确保器件在高压环境下的稳定性。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境温度下，PSMN3R5-30YL,115 的连续漏极电流可达到 100A（在规定的结温条件下）。这意味着该 MOSFET 能够处理高电流负载，使其非常适合电机驱动和高功率转换器等应用。
导通电阻（Rds(on)）: 在 15A 和 10V 时，器件的漏源导通电阻为 3.5mΩ，表明其在导通状态下具有极低的功耗。这不仅提高了整体能效，还减少了散热问题，进而延长设备的使用寿命。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 该 MOSFET 的栅源极阈值电压为 2.15V @ 1mA，这表明在较低的栅电压下就能实现导通，适合于低电压驱动电路。
工作温度范围: PSMN3R5-30YL,115 能够在-55°C 至 175°C 的广泛温度范围内工作，适应苛刻的工作环境，非常适合航天、军事和汽车等关键应用。
功率耗散能力: 最大功率耗散为 74W（在Tc 条件下），能够应对高功率应用，并且在合理的工作条件下保持器件的稳定性。
栅极电荷（Qg）: 在 10V 的驱动下，最大栅极电荷为 41nC，这对提升开关速度十分重要，适合需要快速开关的应用。
封装与接口: PSMN3R5-30YL,115 提供 LFPAK56 和 Power-SO8 等多种封装选择，支持表面贴装，符合现代电子设备紧凑设计的要求，其小巧的尺寸也使其在高密度电路板上具有良好的兼容性。
应用领域 凭借其优越的性能指标，PSMN3R5-30YL,115 被广泛应用于：
- 电源管理: 包括DC-DC转换器、AC-DC电源和不间断电源（UPS）系统中。
- 电动汽车: 用于电机驱动、充电设备和电池管理系统等。
- 工业控制: 在电机控制和工业自动化设备中广泛使用，以实现高效能和节能减排的目标。
- 可再生能源: 在太阳能逆变器和风力发电系统中，用于提升能量转换的效率。
总结 PSMN3R5-30YL,115 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET，设计用于满足现代电子设备对高效率和高可靠性的要求。其低导通电阻、高电流承载能力、广泛的温度范围以及多种封装选项，使其成为多种应用场景的理想选择。无论是在工业、汽车还是消费电子领域，该 MOSFET 都能提供卓越的性能和可靠性，帮助设计工程师实现更高效和可持续的电子设计。