PMEG3020EP,115 产品实物图片
PMEG3020EP,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

PMEG3020EP,115

商品编码: BM0000282268
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
CFP5
包装 : 
编带
重量 : 
0.048g
描述 : 
肖特基二极管 360mV@2A 30V 3mA@30V 2A SOD-128
库存 :
9021(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.868
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.868
--
200+
¥0.599
--
1500+
¥0.545
--
3000+
¥0.509
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

PMEG3020EP,115参数

直流反向耐压(Vr)30V平均整流电流(Io)2A
正向压降(Vf)360mV @ 2A二极管类型肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)30V电流 - 平均整流 (Io)2A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)360mV @ 2A速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏3mA @ 30V不同 Vr、F 时电容325pF @ 1V,1MHz
安装类型表面贴装型封装/外壳SOD-128
供应商器件封装CFP5工作温度 - 结150°C(最大)

PMEG3020EP,115手册

PMEG3020EP,115概述

产品概述:PMEG3020EP,115

基础信息
PMEG3020EP,115是一款高性能的肖特基二极管,广泛应用于电源、整流和信号调节等领域。其主要规格包括:最大直流反向耐压 (Vr) 为30V,平均整流电流 (Io) 可达2A,以及正向压降 (Vf) 为360mV(在2A条件下测得)。这款二极管是为满足高效率和低损耗设计而优化的,对于现代电子设备,尤其是需要小体积和高性能的设计要求,PMEG3020EP,115无疑是一个理想的选择。

技术参数

  1. 直流反向耐压 (Vr): 最大30V,适合多种低至中压应用。
  2. 平均整流电流 (Io): 高达2A,能够支持在较大电流下的稳定工作,非常适合功率转换和整流用途。
  3. 正向压降 (Vf): 在2A时的正向压降仅为360mV,较低的压降意味着在运行期间的能量损耗少,有助于提高系统效率。
  4. 反向泄漏电流: 在最大直流反向耐压 (30V) 下,反向泄漏电流仅为3mA,这对于整流效率的提升具有重要意义。
  5. 电容特性: 在1V和1MHz条件下,电容为325pF,适合快速开关和高频应用。
  6. 恢复速度: 快速恢复时间小于等于500ns,使其在高频开关电源或其他快速开关应用中表现突出。

封装与安装
PMEG3020EP,115采用表面贴装型封装(SOD-128),其小巧的CFP5封装设计使得安装更加简便,适合自动贴片设备作业,便于集成到各种电路板中。由于其低热阻设计,高工作温度(结温可达150°C)使其在高温环境下依然能够保持良好的性能。

应用场景
PMEG3020EP,115特别适合用于:

  • 开关电源:其优化的反向电压和整流能力使其在开关电源调节中变得必不可少。
  • DC-DC 转换器:在变换过程中要求高效率的场合,使用这款二极管能够提高转换效率,减少功耗。
  • 图像传感器和LED驱动:因其快速恢复特性,能够提升系统的响应速度和整体性能。
  • 无线通信设备:其小型封装和高效性能非常适合用于便携式无线产品,如智能手机、平板电脑等。

优势与特点
PMEG3020EP,115的几个显著优势使其在市场上脱颖而出:

  • 高效率: 独特的肖特基二极管设计,确保低正向压降和低反向泄漏,使能量损耗极小,从而提升整体系统效率。
  • 高可靠性: 能够在高温环境下稳定工作,可靠性高,非常适合工业和消费电子产品。
  • 紧凑封装: 小型、轻量的CFP5封装适应现代电子设备对空间的严格需求。
  • 广泛适用性: 适合多种工作条件,在电源管理、信号调节和各类高频应用中表现良好。

结论
具体来说,PMEG3020EP,115是一款在现代电子设计中极具价值的肖特基二极管,其优越的性能和灵活的应用特性,将为各种电子产品设计提供强有力的支持。无论是在电源逆变、整流电路,还是在高频信号调节方面,它都能提供高效、可靠的解决方案,满足市场需求。