PESD12VL2BT,215
PESD12VL2BT,215参数
| 极性 | Bidirectional | 峰值脉冲电流（10/1000us） | 1A (8/20us) |
| 箝位电压 | 20V | 击穿电压（最小值） | 14.2V |
| 反向关断电压（典型值） | 12V | 类型 | 齐纳 |
| 双向通道 | 2 | 电压 - 反向断态（典型值） | 12V（最大） |
| 电压 - 击穿（最小值） | 14.2V | 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 37V |
| 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 5A（8/20µs） | 功率 - 峰值脉冲 | 200W |
| 电源线路保护 | 无 | 应用 | 通用 |
| 不同频率时电容 | 19pF @ 1MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | TO-236AB |
PESD12VL2BT,215手册
PESD12VL2BT,215概述
产品概述：PESD12VL2BT,215
PESD12VL2BT,215 是由全球知名半导体供应商安世（Nexperia）推出的一款高性能瞬态电压抑制二极管（TVS二极管），专为保护敏感电子设备而设计。这款器件以其优良的电气参数和紧凑的封装，广泛应用于各种电子电路中，尤其是在移动设备、计算机、通信设备以及工业控制系统等领域。
主要特点
双向极性：PESD12VL2BT,215 是一款双向TVS二极管，能够有效地保护电路免受正负极性瞬态过电压的冲击，确保电路在极端情况（如静电放电或电压浪涌）下的安全性。
优异的击穿电压：器件的最小击穿电压为14.2V，反向断态电压的典型值为12V（最大），确保能够在瞬态过电压发生时，迅速进入导通状态。
高电流承受能力：该TVS二极管的峰值脉冲电流（10/1000µs）额定为1A（在8/20µs测试条件下可达到5A），使其可以有效地吸收高能量瞬态，防止对后续电路造成损害。
漏电流极低：在正常工作状态下，其漏电流非常低，这意味着在负载正常运行时，该器件不会额外影响电路的性能。
高回整能力：设计用于支持高频应用，其在1MHz频率下的电容为19pF，适合用于高速度信号传输的电路，减少信号失真和延迟。
宽的工作温度范围：PESD12VL2BT,215 的工作温度范围为-65°C至+150°C，适用于各种严苛环境下的应用。
封装与安装
PESD12VL2BT,215 的封装形式为表面贴装型（SMD），型号为TO-236AB（SOT-23-3）。这种紧凑的封装设计不仅节省了PCB空间，同时也简化了生产工艺，符合现代电子设备日益追求小型化、轻量化的趋势。
应用领域
PESD12VL2BT,215 的特性使其非常适合于广泛的应用场景，包括但不限于：
- 信息技术：如计算机主板、外部接口和电源管理模块。
- 消费电子：手机、平板电脑和其他便携式设备的保护。
- 工业自动化：用于传感器、执行器和控制面板的瞬态电压擦防护。
- 汽车电子：尤其在汽车通讯接头与控制单元的保护方面，避免瞬态干扰。
结论
综合来看，PESD12VL2BT,215 是一款功能强大、性能卓越的瞬态电压抑制二极管，适合多种电气保护应用。其可靠的保护特性，加上出色的电气性能和温度稳定性，使其成为设计工程师的首选元件。在当今电子产品日益复杂化的背景下，合理选用 PVS12VL2BT,215 可大大增强电子设备的抗干扰能力和可靠性，确保系统的稳定运行和更长的使用寿命。