PBSS5160T,215 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

PBSS5160T,215

商品编码: BM0000282238
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT-23-3
包装 : 
编带
重量 : 
0.024g
描述 : 
三极管(BJT) 400mW 60V 1A PNP SOT-23
库存 :
1762(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.489
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.489
--
200+
¥0.315
--
1500+
¥0.275
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

PBSS5160T,215参数

额定功率400mW集电极电流Ic1A
集射极击穿电压Vce60V晶体管类型PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1A电压 - 集射极击穿(最大值)60V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)330mV @ 100mA,1A电流 - 集电极截止(最大值)100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)150 @ 500mA,5V功率 - 最大值400mW
频率 - 跃迁220MHz工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装TO-236AB

PBSS5160T,215手册

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PBSS5160T,215概述

PBSS5160T,215 产品概述

引言

PBSS5160T,215是一款高性能PNP型晶体管,属于双极型晶体管(BJT)类别,专为需要高开关速度、低功耗和高增益特性的应用设计。其卓越的参数使得该元器件在多种电子电路设计中成为理想的选择,特别是在移动设备、开关电源、音频放大器及其他消费电子产品中。

主要参数

  • 额定功率: 400mW
  • 集电极电流 (Ic): 最大值为 1A
  • 集射极击穿电压 (Vce): 最大值为 60V
  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降: 最大 330mV @ 100mA, 1A
  • 集电极截止电流: 最大值为 100nA
  • 直流电流增益 (hFE): 最小值为 150 @ 500mA, 5V
  • 频率 - 跃迁: 220MHz
  • 工作温度: 高达 150°C(结温TJ)
  • 封装类型: SOT-23-3
  • 供应商器件封装: TO-236AB

产品特性

PBSS5160T,215晶体管的设计致力于在较高的工作频率下保持稳定的性能,最高可达220MHz,这使其在射频(RF)及高频应用中表现良好。其低Vce饱和压降特性为负载提供了更多的功率余量,有助于提高系统效率。

另一方面,PBSS5160T,215的功率额定值为400mW,适合多种低至中功率应用,确保设备在高功率运行时的稳定性和可靠性。此外,结温高达150°C让该器件在恶劣环境下也能安全可靠地工作,适用于高温操作的工业和汽车应用。

应用场景

  1. 开关电源: 在电源转换设备中,PBSS5160T,215可以作为高效的开关元件,有助于降低功耗和热量生成,从而提高整体电源效率。
  2. 音频放大器: 在音频设备中,使用此晶体管作为放大阶段有助于提高音频信号的质量和准确度,特别是在高质量音频系统中。
  3. RF射频放大器: 在高频通信系统中,其出色的频率响应和低噪声特性使其成为实现高增益和宽带宽的重要元件。
  4. 消费电子产品: 由于其体积小巧及所需的外部元件较少,PBSS5160T,215也适用于各种便携式设备,如手机、平板电脑和其他移动电子设备。

使用说明

在实际应用中,PBSS5160T,215应遵循有效的电路设计原则,确保工作在器件的额定范围内,以避免过载和热损伤。合理选择偏置电阻和其他必要的外部元件,以实现期望的性能指标。此外,设计人员还应考虑散热管理方案,以维持器件的长期稳定运行。

结论

PBSS5160T,215凭借其出色的电气特性、抗高温能力和广泛的应用场景,成为设计师选择的优质PNP型晶体管。通过采用该元器件,设计团队能够构建出更高效、更可靠的电子产品,符合现代市场对性能和效率不断上升的需求。在后续的电路设计中,PBSS5160T,215无疑是一个理想的选择,能够满足多种方案的设计需求。