晶体管类型 | NPN | 集电极电流Ic | 2A |
集射极击穿电压Vce | 20V | 额定功率 | 540mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 20V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 310mV @ 300mA,3A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 220 @ 1A,2V | 功率 - 最大值 | 540mW |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
产品概述:PBSS4320T,215
PBSS4320T,215是由Nexperia(安世半导体)研发的一款高性能NPN型晶体管,设计用于各种低至中等功率的电子应用。这款器件不仅在电子技术领域具有广泛的应用潜力,同时也在电源管理、开关控制和信号放大等场合表现出色。
PBSS4320T,215采用了符合现代技术标准的SOT-23-3封装,具备小型化的优势,使其非常适合用于空间受限的电路设计。以其优良的热管理和电子性能,该封装为高频应用提供了良好的集成度,并优化了散热特性,保证了元件在高负载条件下的稳定性。
PBSS4320T,215晶体管的主要电气特性包括:
最大集电极电流(Ic): 该晶体管能够承受的最大集电极电流为2A,这使得它非常适合承接各种功率负载的控制,适用于直流电源开关与功率放大应用。
集射极击穿电压(Vce): 其最大集射极击穿电压为20V,这意味着该晶体管可以在一定范围内实现高效的开关操作,同时能承受较大的电压波动,确保电路的稳定性与可靠性。
功率额定值: 该器件的最大功率额定值为540mW,意味着其在正常工作条件下能安全地处理相应的功率消耗而不易过热,是低功耗应用的理想选择。
饱和压降(Vce(sat)): 在不同的电流状态下,该晶体管的 Vce饱和压降最大值为310 mV @ 300 mA,3A。这表明其在开启状态下的电阻损耗较小,能提高整体电路的电能利用效率。
截止电流: 在关闭状态下,集电极截止电流最大值为100nA,这说明在不工作时器件的功耗非常低,适合用于节能导向的设计。
直流电流增益(hFE): PBSS4320T,215在1A、2V的条件下,具有至少220的直流电流增益。这意味着在小信号条件下,输入小电流便能驱动大电流输出,提高了器件应用的灵活性。
频率特性: 该晶体管的跃迁频率可达100MHz,适用于高频信号处理,广泛应用于射频电路和通信设备。
PBSS4320T,215的工作温度范围达到150°C(TJ),保证了其在恶劣环境或高温设备中的可靠运行。该特性加上其优质的材料与制造工艺,使其在长时间运行和高负载情况下依具较高的可靠性,适合在工业及消费类电子产品中使用。
PBSS4320T,215适应广泛的应用领域,包括但不限于:
开关电源:可用于电源管理及电源转换场合,有助于提高能源转换效率。
信号放大:在音频、视频设备中可用作信号放大器,提升信号质量。
继电器驱动:可以驱动继电器及电机,适用于家电和工业控制系统。
便携式电子产品:由于其低功耗特性,适合于便携式及移动设备,增加产品的续航能力。
PBSS4320T,215以其卓越的电气特性、可靠的工作性能和灵活的应用能力,成为现代电子元器件市场中的重要组成部分。无论是在消费电子、汽车电子还是工业自动化领域,PBSS4320T,215晶体管都能提供高效、可靠的解决方案,展现出极大的市场潜力与应用价值。