NX3020NAKS,115

NX3020NAKS,115 产品概述

概述

NX3020NAKS,115 是一款高性能的双N沟道场效应管（MOSFET），由业内知名品牌 Nexperia（安世半导体）制造。这款器件专为逻辑电平控制应用而设计，适合多种电子设备和电路中的开关用途，其优越的参数使其在高效能和低功耗设计中表现出色。

基础参数

NX3020NAKS,115 的关键电气参数包括：

• 漏源电压 (Vdss): 30V，表明其能够承受高达30V的漏源电压，适合于多种电源电路。
• 连续漏极电流 (Id): 180mA @ 25°C，这意味着在标准工作温度下，其连续漏极电流可达180毫安，能够支持多数低功耗应用。
• 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 1.5V @ 250µA，指示在此电压下器件开始导通，便于与逻辑电平电路兼容。
• 漏源导通电阻 (Rds(on)): 4.5Ω @ 100mA, 10V，这一低导通电阻确保了在开关状态下较小的功耗与热量损耗，提高了整体能效。
• 最大功率耗散: 375mW @ 25°C，表明在此温度下，器件的热管理能力良好，能够在不影响性能的情况下散发适量的热量。

物理规格

• 封装: NX3020NAKS,115 固定在6-TSSOP封装（SOT-363），具备优良的散热能力和小型化设计，便于在高密度布板中应用。此封装不仅节省空间，还为电路设计者提供了更大的灵活性。
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C，这使得NX3020NAKS,115可以在严苛的环境条件下稳定工作，适用于工业、汽车和通讯设备等广泛应用领域。

性能特点

1. 低输入电容 (Ciss): 13pF @ 10V，这一特性使得器件在高频开关应用中具有良好的响应速度，并能有效减少驱动电路的负担。
2. 小栅极电荷 (Qg): 0.44nC @ 4.5V，这表明器件在开启时所需的栅极电荷非常小，从而进一步降低了功率消耗，提升了开关速度。
3. 兼容逻辑电平: 优化设计允许其与较低电压的逻辑电平直接配合，简化了控制电路的设计。

应用范围

NX3020NAKS,115 适合应用于多种领域，包括但不限于：

• 计算机设备: 由于其低功耗特性，此器件可用于电脑电源管理、显示屏控制等。
• 消费电子: 可以在智能手机、平板电脑及其它低功耗电子产品中用作开关调节器。
• 工业控制: 适合用于电机控制、传感器接口和其它数据采集设备。
• 汽车电子: 在汽车内电源管理及控制模块中同样具有广泛应用。

总结

NX3020NAKS,115 是一款出色的双N沟道场效应管，其优势在于优秀的电气性能、宽广的工作温度范围和灵活的封装设计。作为 Nexperia 公司的创新产品，它不仅为广大工程师提供了轻松设计、高效能器件的选择，也为未来的多种电子应用提供了稳定可靠的解决方案。通过优化功耗和热管理能力，NX3020NAKS,115 将在不断发展的电子技术领域中展现出其独特的价值。