晶体管类型 | NPN | 集电极电流Ic | 500mA |
集射极击穿电压Vce | 80V | 额定功率 | 300mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 80V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 10mA,100mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 100mA,1V | 功率 - 最大值 | 300mW |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23 |
MMBTA06-TP 是一种高效能的 NPN 晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT),由知名制造商美微科(MCC)生产。该器件设计用于低功率应用,适用于开关和放大电路。凭借其小型化的表面贴装封装(SOT-23),MMBTA06-TP 能够在空间受限的电路板中提供极佳的电气性能,使其成为现代电子应用中的理想选择。
MMBTA06-TP 的主要电气参数如下:
MMBTA06-TP 的工作温度范围广泛,从 -55°C 到 150°C,适合于恶劣环境下的应用,且可在高温和低温条件下稳定运行。
MMBTA06-TP 采用 SOT-23 表面贴装封装,具有小巧的尺寸和轻量化的特性,非常适合于现代电子设备中高密度布线的需求。其极小的封装尺寸以及良好的散热性能使其在移动设备、消费电子和工业控制等领域得到了广泛应用。
由于其优越的电气特性和稳定的工作性能,MMBTA06-TP 适用于多种应用场合,包括但不限于:
MMBTA06-TP 是一款性能卓越的 NPN 晶体管,凭借其广泛的工作电流与电压范围、小型封装以及良好的增益和频率特性,在多种电子项目中表现出色。无论是用于高效能开关,还是音频信号放大,MMBTA06-TP 都是一个理想的选择,为现代电子设备的设计带来了更多可能性。