MMBT5401Q-7-F
MMBT5401Q-7-F参数
| 额定功率 | 350mW | 集电极电流Ic | 600mA |
| 集射极击穿电压Vce | 150V | 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 600mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 150V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 500mV @ 5mA，50mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 50nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 60 @ 10mA，5V | 功率 - 最大值 | 350mW |
| 频率 - 跃迁 | 300MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
MMBT5401Q-7-F手册
MMBT5401Q-7-F概述
MMBT5401Q-7-F 产品概述
概述
MMBT5401Q-7-F是一款高性能的PNP型晶体管，设计用于低功耗应用领域，在数据和信号处理电路中表现优异。该器件由知名半导体制造商DIODES（美台）生产，广泛应用于开关和放大电路。凭借其卓越的电气特性和广泛的工作温度范围，MMBT5401Q-7-F成为电子设计工程师的理想选择。
主要参数
额定功率与电流： MMBT5401Q-7-F具备350mW的最大功率额定值，和高达600mA的集电极电流（Ic），使其能够处理各种信号精确且高效。其优越的电流承载能力使其适用于大多数低功耗和中等功耗的应用。
电压特性： 该晶体管拥有150V的集射极击穿电压（Vce），此特性使得MMBT5401Q-7-F能适应高电压的环境，满足各类电气设备的需求。
饱和压降： 在不同的基极电流（Ib）和集电极电流（Ic）条件下，Vce饱和压降最大值为500mV（在5mA和50mA时），提供了出色的信号放大能力并最大限度地降低了功耗。
截止电流： MMBT5401Q-7-F 的集电极截止电流（ICBO）最大值为50nA，非常适合于需要低漏电流的应用场合。
电流增益： 在具有典型工作条件的情况下（Ic为10mA，Vce为5V），其DC电流增益（hFE）最小值可达60，这意味着它在信号放大和开关操作中的表现可靠且一致。
频率响应： 该器件具备高达300MHz的跃迁频率，确保在高速信号传输中保持良好的性能。这一点尤其适合于要求快速响应的应用，如射频和图像处理电路。
工作温度范围： MMBT5401Q-7-F工作温度范围为-55°C至150°C，适用于各种极端环境，确保设备在高温或低温情况下均能稳定工作。
封装及安装： 该晶体管采用SOT-23封装，适合表面贴装技术（SMT）生产。SOT-23的紧凑式设计使其能够在空间有限的电路板上有效集成，支持更高的设计灵活性。
应用领域
MMBT5401Q-7-F因其优异的电气特性，广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 通信设备：在信号放大和处理环节提供可靠的支持。
- 消费电子：广泛用于音频播放器、电视和其他消费电子产品中的开关和放大电路。
- 工业控制：能够处理恶劣环境中的信号切换和放大。
- 汽车电子：适用于智能汽车及其电气系统中。
- 嵌入式系统：在微控制器或数字信号处理器中的数据传输与处理。
总结
MMBT5401Q-7-F PNP型晶体管凭借其340mW的额定功率、150V的集射极击穿电压、600mA的集电极电流与300MHz的跃迁频率，在多个应用场合表现出色。无论是在功能性需求还是在信号处理效率上，该器件都为设计工程师提供了强有力的支持。作为业内可靠的组件，MMBT5401Q-7-F是一款不可或缺的电子元件，适合各种高可靠性和高性能的设计需求。