MMBT4401T-7-F 产品实物图片
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MMBT4401T-7-F

商品编码: BM0000282142
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT523
包装 : 
编带
重量 : 
0.026g
描述 : 
三极管(BJT) 150mW 40V 600mA NPN SOT-523
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.423
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.423
--
200+
¥0.273
--
1500+
¥0.237
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMBT4401T-7-F参数

额定功率150mW集电极电流Ic600mA
集射极击穿电压Vce40V晶体管类型NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)600mA电压 - 集射极击穿(最大值)40V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)750mV @ 50mA,500mA电流 - 集电极截止(最大值)100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 150mA,1V功率 - 最大值150mW
频率 - 跃迁250MHz工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳SOT-523
供应商器件封装SOT-523

MMBT4401T-7-F手册

MMBT4401T-7-F概述

产品概述:MMBT4401T-7-F

基础信息与参数概览

MMBT4401T-7-F是一种高性能NPN型三极管,归类于双极型晶体管(BJT)系列,主要用于高频信号处理和开关电路的应用。它具备优异的电气性能和可靠性,适合在苛刻的温度条件下工作,显示出优越的电流放大能力和开关速度。以下为该型号三极管的主要技术参数:

  • 额定功率:150mW
  • 集电极电流 (Ic):最大值为600mA
  • 集射极击穿电压 (Vce):最大值为40V
  • 饱和压降 (Vce(sat)):在50mA和500mA集电极电流下,最大值分别为750mV和500mV
  • 截止集电极电流 (Ic(bo)):最大为100nA,确保在关断状态下的极低漏电流
  • 直流电流增益 (hFE):在150mA、1V条件下的最小值为100,优异的增益特性增强了其在放大电路中的应用价值
  • 频率响应:跃迁频率为250MHz,使其适合用于高频应用
  • 工作温度范围:-55°C至150°C,适合在极端环境下操作
  • 封装类型:表面贴装型,采用SOT-523封装,有助于PCB设计的紧凑性

应用场景

MMBT4401T-7-F凭借其高集电极电流能力和优秀的频率特性,适用于众多电子电路的设计和制造。以下是一些典型的应用场景:

  1. 信号放大电路:由于其高直接电流增益,适合用于低级信号的放大,能够有效提升信号强度,确保信号的清晰度与稳定性。

  2. 开关电路:其在饱和区快速开关的能力使其成为电子控制电路的热门选择,例如在继电器驱动和电源开关中发挥关键作用。

  3. 高频振荡器与放大器:250MHz的跃迁频率,表明MMBT4401T-7-F适合高频应用,如RF放大器和振荡电路,广泛应用于无线通信设备。

  4. 射频通信:在基站和移动终端等射频任务中,该晶体管能够提供优异的放大性能,确保信号的传输质量。

  5. 电流传感器:利用其精确的电流增益特性,能够用于电流监测和控制系统,以实现精确的电流测量与调节。

产品特点

  • 高集电极电流和高增益:满足多种电源和负载条件的需求。
  • 低饱和压降:提供高效率的开关操作,减少功率损耗。
  • 广泛的工作温度范围:增强了在各种环境下的可靠性,特别是在高温或低温环境中。
  • 小型封装设计:适合需求紧凑空间应用的现代电子设备,帮助简化PCB布局。

总体评价

MMBT4401T-7-F是一款功能强大、性能卓越的NPN晶体管,适合各种电子应用,尤其是在高温和高频需求下。其小巧的SOT-523封装增加了设计灵活性,使其成为现代电子设备设计的理想选择。无论是在消费电子、工业自动化,还是在通讯设备中,MMBT4401T-7-F都表现出其极佳的性能和可靠性,为设计师和工程师提供了高效的解决方案。