直流反向耐压(Vr) | 200V | 平均整流电流(Io) | 10A |
正向压降(Vf) | 900mV @ 10A | 二极管配置 | 1 对共阴极 |
二极管类型 | 肖特基 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 200V |
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管) | 10A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 890mV @ 10A |
速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100µA @ 200V |
工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
MBR20200CT-LJ 是一款高性能的肖特基二极管,具备优异的电气特性和广泛的应用潜力。该器件的主要参数包括直流反向耐压(Vr)为200V,平均整流电流(Io)高达10A,正向压降(Vf)仅为900mV(在10A负载下)。其封装形式为 TO-220-3,非常适合高功率应用,以确保在各种环境下的可靠性和稳定性。
MBR20200CT-LJ 具有广泛的应用领域,包括但不限于:
MBR20200CT-LJ 采用 TO-220AB 封装,这种封装方式有助于实现良好的热管理性能。在安装方面,通孔的设计便于标准化的PCB布局,DEMONT 也可以确保在高功率情况下的散热效果。
MBR20200CT-LJ 是一款具有卓越性能和灵活应用范围的肖特基二极管,其低压降、高逆压能力和快速恢复特性,使其成为现代电子设备中不可或缺的元器件。凭借其优良的电气特性和宽广的工作温度范围,MBR20200CT-LJ 适合于高频、高功率的电源应用,能够在多种环境中提供可靠和高效的解决方案。对于设计工程师而言,选择 MBR20200CT-LJ 可以增强系统的整体性能,提升产品的竞争力。