LM211DR 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

LM211DR

商品编码: BM0000282067
品牌 : 
TI(德州仪器)
封装 : 
8-SOIC
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
比较器 开集;开射 3mV 3.5V~30V;1.75V~15V 100nA SOIC-8
库存 :
10418(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.963
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.963
--
100+
¥0.642
--
1250+
¥0.583
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

LM211DR参数

类型通用输出类型DTL,MOS,开路集电极,开路发射极,RTL,TTL
电源电压,单/双(±)3.5V~30V,±1.75V~15V静态电流(Max)6mA
输入偏置电流(Max)0.1μA@±15V输入失调电压(Max)3mV@±15V
输出电流(Typ)50mA工作温度-40°C~85°C
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm宽)元件数1
电压 - 供电,单/双 (±)3.5V ~ 30V,±1.75V ~ 15V电压 - 输入补偿(最大值)3mV @ ±15V
电流 - 输入偏置(最大值)0.1µA @ ±15V电流 - 输出(典型值)50mA
电流 - 静态(最大值)6mA安装类型表面贴装型
供应商器件封装8-SOIC

LM211DR手册

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LM211DR概述

LM211DR 产品概述

LM211DR 是一款来自德州仪器(Texas Instruments, TI)的高性能比较器,具备多种独特的功能和应用优势。该器件广泛用于需进行精确电压比较的电子电路中。下面将详细介绍该产品的关键规格、工作原理、应用场合及其优势。

关键规格

LM211DR 的主要参数包括:

  • 类型: 通用比较器
  • 输出类型: DTL(双极传输逻辑)、MOS、开路集电极、开路发射极、RTL(电阻传输逻辑)、TTL(晶体管-晶体管逻辑)
  • 电源电压范围: 3.5V 至 30V(单电源模式)或 ±1.75V 至 ±15V(双电源模式)
  • 静态电流: 最大 6 mA
  • 输入偏置电流: 最大 0.1 μA(在 ±15V 工作条件下)
  • 输入失调电压: 最大 3 mV(在 ±15V 工作条件下)
  • 输出电流: 典型值 50 mA
  • 工作温度范围: -40°C 至 85°C
  • 封装类型: 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽)

工作原理

LM211DR 的工作原理基于比较器的基本特性,即两输入端(反相和非反相)之间的电压差。当非反相输入的电压高于反相输入时,其输出将转变为高电平;反之,则输出为低电平。该器件的低输入偏置电流及极高增益特性使其能够处理微小的输入电压变化,对于电压监控和信号调理应用极为理想。

应用场合

LM211DR 适用于多种电子电路和系统,包括但不限于:

  1. 电压比较: 在电压监控系统中,用于 comparing 测量信号和参考电压。
  2. 窗口比较器: 把两个不同的电压阈值设定用于确保输入信号在预设范围内。
  3. 过压保护: 用于检测电源电压是否超过安全阈值,并驱动保护电路进行响应。
  4. 数据采集系统: 在 ADC 系统中,LM211DR 可作为前级放大器,提供必要的电压比较功能,提升测量精度。
  5. 温度监控: 通过将温度传感器输出与参考电压相比较,监测设备或环境温度是否超出设定值。

优势

LM211DR 提供了一系列的性能优势,适用于复杂和安全要求较高的电子应用:

  • 宽广的电源电压范围:支持单电源和双电源供电,灵活性高。
  • 低功耗: 静态电流仅为最大 6 mA,适合于长时间运行的便携式设备。
  • 高输入阻抗: 输入偏置电流低至 0.1 μA,极大降低信号失真并提升系统的可靠性。
  • 宽工作温度范围: -40°C 至 85°C,适合于苛刻的工业和汽车环境使用。
  • 易于集成: 采用 8-SOIC 封装,适用表面贴装设计,使其在现代电子设计中易于布线和集成。

总结

LM211DR 是一款性能优异、功能强大的比较器,适合各种需要电压监控和比较的场合。凭借其广泛的电源电压范围、低静态电流和出色的输入性能,LM211DR 在电子设计中具备重要的应用价值。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子等领域,LM211DR 都能够满足高可靠性和高精度的设计需求。选择 LM211DR,将为您的设计带来更高的性能与效率。