极性 | Unidirectional | 峰值脉冲电流(10/1000us) | 5A (8/20us) |
箝位电压 | 40V | 击穿电压(最小值) | 17.6V |
反向关断电压(典型值) | 15V | 类型 | 齐纳 |
单向通道 | 1 | 电压 - 反向断态(典型值) | 15V(最大) |
电压 - 击穿(最小值) | 17.6V | 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 40V |
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 5A(8/20µs) | 功率 - 峰值脉冲 | 160W |
电源线路保护 | 无 | 应用 | 通用 |
不同频率时电容 | 32pF @ 1MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-79,SOD-523 |
供应商器件封装 | SOD-523 |
PESD15VS1UB,115是一款由Nexperia(安世半导体)制造的高性能瞬态电压抑制(TVS)二极管,专为保护敏感电子设备免受电压瞬变和浪涌而设计。其小巧的SOD-523封装形式使其适用于各种表面贴装应用,能够为现代电子设备提供有效的电源保护。
PESD15VS1UB,115专为通用应用而设计,广泛适用于各类电子设备特别是对电压波动敏感的电路组件。常见的应用包括:
Nexperia的PESD15VS1UB,115是一个理想的解决方案,用于对各种电子设备提供高效、可靠的瞬态电压抑制保护。其小巧的封装、优秀的电压保护性能及广泛的应用适应性,使其在当前现代电子设备中显得尤为重要。选择PESD15VS1UB,115,将为您的设计增添层层保障,使其在瞬态电压击导致的风险中更具韧性与稳定性。