晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 额定功率 | 200mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 5mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 100mV @ 250µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA | 频率 - 跃迁 | 230MHz |
功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
概述
PDTC114YU和PDTC115这两款数字晶体管是由安世半导体(Nexperia)生产的高性能NPN预偏置晶体管,采用SOT-323封装,具有紧凑的尺寸和优异的电气特性,适用于各种便携式电子设备和低功耗电路的应用。这些产品适合用于开关电路、信号放大和控制电路,尤其是在需要高集电极电流(Ic)和良好增益特性的环境中表现尤为突出。
基本参数
晶体管类型: PDTC114YU和PDTC115都是NPN类型的预偏置晶体管,具有良好的开关特性与稳定性。
集电极电流(Ic): 最大集电极电流为100mA,适合中低功率应用,提供良好的输出性能。
集射极击穿电压(Vce): 此两款产品的最大集射极击穿电压为50V,确保在需要高电压工作的应用中也能可靠运行。
额定功率: 二者的额定功率均为200mW,适合低功耗电路设计,保证了在长时间工作下的稳定性。
基极电阻(R1)与发射极电阻(R2): 基极电阻为10kΩ,发射极电阻为47kΩ,这些参数为设计提供了灵活性,允许工程师优化电路特性。
DC电流增益(hFE): 在Ic为5mA、Vce为5V的条件下,最小hFE达到100,确保了放大性能,适合信号处理场景。
饱和压降: 在250µA到5mA的工作范围内,最大Vce饱和压降仅为100mV,表明该晶体管在开关状态下具有较低的电压损失。
截止电流: 集电极截止电流最大值为1µA,符合低漏电流的设计要求,非常适合低功耗应用。
频率特性: 具备230MHz的跃迁频率,使其适用于高频信号处理,无论是在RF信号放大或是开关转换中,均能表现出色。
封装与安装类型: PDTC114YU和PDTC115采用SOT-323封装,属于表面贴装类型(SMD),极大地降低了PCB的空间消耗,便于组装和自动化生产。
应用场景
PDTC114YU和PDTC115的设计使其特别适用于消费电子产品,例如:
信号放大器: 在消费类音频和视频设备中,可用于信号增强,提高信号质量。
开关控制电路: 在开关电源或电机驱动电路中,通过控制晶体管的开关状态来达到对负载的控制需求。
LED驱动电路: 根据其低功耗和高开关频率特性,适合用于LED照明或信号指示灯的驱动。
传感器接口: 在需要与传感器电路连接的微控制器中,PDTC114YU和PDTC115可以作为信号转换器。
便携式设备: 由于其小巧的封装,特别适合智能手机、可穿戴设备、便携式仪器以及其他空间受限的电子产品。
结论
PDTC114YU和PDTC115是功能强大且灵活的NPN数字晶体管,其优秀的电气特性和适用性使其在现代电子设计中具有广泛的应用潜力。无论是在信号处理、开关控制还是高频应用中,它们都能提供可靠的性能表现,满足当今市场对高效和低功耗电子元器件的需求。这些晶体管无疑是电子工程师设计创新产品的理想选择。