NX2301P,215
NX2301P,215参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2A |
| 栅源极阈值电压 | 1.1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 120mΩ @ 1A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 400mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 120 毫欧 @ 1A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 380pF @ 6V | 功率耗散（最大值） | 400mW（Ta），2.8W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-236AB | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
NX2301P,215手册
NX2301P,215概述
产品概述：NX2301P,215 P沟道MOSFET
一、产品简述
NX2301P,215是一款由Nexperia（安世）公司生产的高性能P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其主要设计用于低功耗应用的开关和放大器电路。该产品采用TO-236AB封装，即SOT-23封装，具有小巧的体积和出色的电性能，适合于各种电子设备的紧凑型设计，特别是在低电压、低功耗的应用场景中表现优异。
二、基本参数
- 漏源电压（Vdss）: 20V
- 连续漏极电流（Id）: 2A（在25°C的环境温度下）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 1.1V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 120mΩ @ 1A，4.5V
- 最大功率耗散: 400mW（在环境温度Ta=25°C时），2.8W（在结温Tc情况下）
- 最大驱动电压: ±8V
- 工作温度: -55°C至150°C
- 输入电容（Ciss）: 380pF @ 6V
- 栅极电荷（Qg）: 6nC @ 4.5V
三、应用领域
NX2301P,215 MOSFET适用的应用领域涵盖了多个电子产品，主要包括但不限于：
电源管理: 适用于DC-DC转换器、电池管理系统等场合，凭借其低导通电阻和针对高电流的能力，提高了能效并降低了功率损耗。
开关电路: 在低电压或可再生能源应用中，NX2301P能够快速地开关控制，减少功率损失，提高整体系统的响应速度。
音频和视频设备: 具有良好的线性特性和开关特性，使其适用于一些音频、视频放大器和调制解调器等产品中。
负载切换: 在电动机控制、负载驱动等应用中，其2A的持续漏极电流能够支持小型电动机的启动与运行。
四、技术优势
低导通电阻: NX2301P的漏源导通电阻仅为120mΩ@1A时，为相关电路提供了极小的功率损耗，尤其在高频切换应用中有效降低了发热量。
宽工作温度范围: 最高工作温度可达150°C，适应性强，可以在更苛刻的环境中稳定工作，从而延长器件和系统的使用寿命。
良好的开关特性: 低栅极电荷（Qg）使得该MOSFET在高频操作下响应迅速，适合需要低延迟和高频率的信号处理应用。
优良的封装设计: TO-236AB封装不仅小巧，易于贴装，而且能提供良好的热管理，为可靠性提供支持。
五、结论
NX2301P,215 P沟道MOSFET是一款性能卓越且功能强大的半导体器件，具备广泛的应用潜力。其在电源管理、开关电路和负载控制等多个领域的出色发挥，凭借其低功耗、高效率和优良的热特性，能够帮助工程师在设计中实现高效能与可靠性。针对当前快速发展的智能电子市场，NX2301P无疑是推动技术创新与产品升级的重要选择。