NJVNJD2873T4G
NJVNJD2873T4G参数
| 额定功率 | 1.68W | 集电极电流Ic | 2A |
| 集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 2A | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 50mA，1A | 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 120 @ 500mA，2V | 功率 - 最大值 | 1.68W |
| 频率 - 跃迁 | 65MHz | 工作温度 | -65°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | DPAK |
NJVNJD2873T4G手册
NJVNJD2873T4G概述
NJVNJD2873T4G 产品概述
NJVNJD2873T4G 是安森美 (ON Semiconductor) 公司推出的一款高性能 NPN 型晶体管，专为需要较高电流和功率管理的应用而设计。此器件采用 DPAK 封装，具备卓越的热管理能力和电气特性，使其广泛适用于工业控制、电源管理以及汽车电子等领域。
基本参数与特性
额定功率与电流
NJVNJD2873T4G 的额定功率为 1.68W，能够承受最大集电极电流 (Ic) 为 2A。这使得此晶体管非常适合用于需要较大电流驱动的电路，例如电机控制和开关电源等应用。集射极击穿电压 (Vce)
该器件的集射极击穿电压最大值为 50V，这意味着其能够支持高电压应用而不发生击穿故障。这一特性使其适合用于各种电源转换器和高压开关电路。饱和压降 (Vce(sat))
在不同的基极电流 (Ib) 和集电极电流 (Ic) 条件下，NJNVJD2873T4G 的饱和压降最高可达到 300mV，尤其在 50mA 和 1A 的额定下。较低的饱和压降表示在导通状态下功耗较小，有利于提高电路效率。电流增益 (hFE)
在 500mA 和 2V 的工作条件下，该器件的直流电流增益 (hFE) 最小值可达到 120。这一特性在功率放大和信号处理应用中尤为重要，因为它确保了在较低的基极电流条件下仍可实现较高的输出电流。截止电流 (ICBO)
NJVNJD2873T4G 的最大集电极截止电流仅为 100nA，表明其良好的漏电性能。这一点在需要确保低功耗待机模式或高敏感度应用时非常重要。频率特性
此晶体管具备高达 65MHz 的跃迁频率，使其适合用于高速开关应用和射频应用领域。工作温度范围
NJVNJD2873T4G 可在 -65°C 到 175°C 的范围内稳定工作，适用于极端环境条件的应用。
封装与安装
NJVNJD2873T4G 采用 DPAK（三引脚 + 散热片）封装，具有良好的散热性能和紧凑的尺寸。因此，能够满足多种设计需求，在空间有限的应用中表现尤为出色。表面贴装型的设计也使得其在自动化生产中的效率大幅提升。
应用场景
凭借其优异的电气性能，NJVNJD2873T4G 在多个领域均有广泛的应用。主要应用场景包括：
- 电源管理：在开关电源、电压调节器等电源管理电路中，通过高效率的开关控制实现稳定输出。
- 工业控制：在电机驱动和执行器控制中，作为开关元件来调节电流。
- 汽车电子：在车载照明、动力控制等汽车应用中，实现智能高效的功能。
总结
总的来说，NJVNJD2873T4G 是一款高性能的 NPN 晶体管，凭借其高电流承载能力、低饱和压降和宽工作温度范围，使其在现代电子设备中颇具实用性。无论是在高压电源、工业自动化还是汽车电子等应用中，该器件均能提供可靠的性能和品质保障，为客户提供卓越的解决方案。