直流反向耐压(Vr) | 200V | 平均整流电流(Io) | 2A |
正向压降(Vf) | 950mV @ 2A | 二极管类型 | 标准 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 200V | 电流 - 平均整流 (Io) | 2A |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 950mV @ 2A | 速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
反向恢复时间 (trr) | 35ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 2µA @ 200V |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | DO-214AA,SMB |
供应商器件封装 | SMB | 工作温度 - 结 | -65°C ~ 175°C |
MURS220T3G 是由安森美(ON Semiconductor)公司生产的一款高效能快恢复二极管。作为一个表面贴装型组件,该产品在高频电源电路及其他需要快速切换性能的应用中,提供了优异的整流性能和可靠性。
MURS220T3G 的设计专注于提供快速恢复特性和较低的正向压降,使其在电气性能上相较于标准二极管有显著的提升。正向压降为950mV @ 2A,这对于提升电源转换效率至关重要,尤其是在高频应用中,能够减少功率损耗,提升整体系统效率。
该二极管的直流反向耐压达到200V,这使得它可以广泛应用于各类电源隔离和反向保护电路中,保证系统在高压环境下的稳定运行。其反向恢复时间为35ns,满足快速开关应用的需求,尤其适用于开关电源、各种DC-DC转换器及其它高频信号处理电路。
MURS220T3G 二极管适用于各类电子设备和电源管理系统,主要应用包括:
相较于同类产品,MURS220T3G 的主要竞争优势体现在其优异的电气特性和广泛的工作温度范围。-65°C 到 175°C 的极宽温度范围,确保在极端环境条件下依然能够稳定工作。这对于汽车电子、航空航天及工业设备等严苛应用场合尤为重要。
此外,SMB封装设计不仅减小了占用空间,更提高了散热效率,促进更好的热管理,有效延长了产品的使用寿命。
总体而言,MURS220T3G 是一款全面兼备高效能、快速响应及可靠性的二极管,适用于多个高性能应用场合。无论是在高频电源转化,还是在各种保护性电路中,MURS220T3G 都能提供稳定的解决方案。凭借其卓越的参数和广泛的应用适应性,MURS220T3G 将为电子设计提供强大支持。