额定功率 | 300mW | 集电极电流Ic | 500mA |
集射极击穿电压Vce | 80V | 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 80V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1.5V @ 100µA,100mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 10000 @ 100mA,5V | 功率 - 最大值 | 300mW |
频率 - 跃迁 | 125MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
MMBTA28-7-F 是一款高性能的达林顿型 NPN 晶体管,广泛应用于电子电路的各种领域。该器件由 DIODES(美台)公司生产,专门设计用于满足高增益和高电流需求的应用场景。它采用小型的 SOT-23 封装,适合于表面贴装的电路设计,非常适合需要节省空间的便携式设备。
额定功率和电流: MMBTA28-7-F 的额定功率为 300mW,集电极电流(Ic)最大可达 500mA。这使得它能够在多种负载条件下可靠地工作,从而满足多样化的设计需求。
电压特性: 该达林顿晶体管的集射极击穿电压(Vce)最大值为 80V,提供了良好的电压保护,适用于高电压环境。这一特性使其能够在高压工作条件下仍然保持稳定的性能。
增益特性: MMBTA28-7-F 的 DC 电流增益(hFE)最小值达到 10000 @ 100mA 和 5V,这表明它在小信号下能够控制更大的电流,充分体现了达林顿晶体管的优势。高增益特性使其在低输入信号条件下也能驱动大负载,提高了电路的效率和响应速度。
饱和电压: 在不同的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)条件下,该器件的 Vce 饱和压降最大值为 1.5V @ 100µA 和 100mA。这一特性有助于在开关操作时降低功耗,提升整体电路效率。
截止电流特性: MMBTA28-7-F 的集电极截止电流在最大值为 500nA,是一个非常低的值,适用于需要高灵敏度和低噪声的应用场景,比如模拟信号放大。
频率响应: 该器件的跃迁频率高达 125MHz,说明它在快速开关应用中表现优异,尤其适合于高频信号的处理,如无线通信和迅速切换的数字电路中。
宽工作温度范围: MMBTA28-7-F 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,确保了在极端环境下的可靠运行。
由于其高增益、卓越的电流承载能力和小型化特性,MMBTA28-7-F 被广泛应用于:
便携式电子设备: 如智能手机、便携式音响和手持游戏机等,由于体积小且性能强大,非常适合空间受限的设计。
电机驱动和开关电源: 在电机驱动和 DC-DC 转换器中,能够有效控制大的电流,提高了系统的响应速度和能效。
线性电源和放大器电路: 可以在音频放大器和信号调节电路中使用,能够提供高增益和低噪声特性,确保信号质量。
自动化和控制系统: 可用于工业自动化和控制系统中,帮助传感器和执行器高效地互相作用。
总之,MMBTA28-7-F 是一款功能强大的达林顿型 NPN 晶体管,以其出色的电气特性和在恶劣环境下的稳定性,成为现代电子设计中不可或缺的重要器件。其灵活的应用范围和优越的性能使其在众多领域中具备广泛的应用前景。设计工程师可根据具体应用需求,选择 MMBTA28-7-F,以实现高效、紧凑的电路设计。