MMBD7000-7-F
MMBD7000-7-F参数
| 反向恢复时间（trr） | 4ns | 直流反向耐压（Vr） | 75V |
| 平均整流电流（Io） | 300mA | 正向压降（Vf） | 1.25V @ 150mA |
| 二极管配置 | 1 对串联 | 二极管类型 | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 75V | 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管） | 300mA（DC） |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25V @ 150mA | 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 4ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 1µA @ 50V |
| 工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
MMBD7000-7-F手册
MMBD7000-7-F概述
MMBD7000-7-F 产品概述
简介
MMBD7000-7-F 是一款由知名电子元器件制造商 DIODES（美台）提供的高性能开关二极管，符合表面贴装(SMD)标准。其主要特点是具有优秀的反向恢复性能、适用于大多数低功耗应用，广泛应用于信号整流、开关电源和高频应用等多个领域。
关键参数
反向恢复时间 (trr): MMBD7000-7-F 具有极短的反向恢复时间 4ns，适合高速开关应用。这一特性确保在开关操作时，二极管能够迅速恢复至阻断状态，从而减小能量损失和提高电路的工作效率。
直流反向耐压 (Vr): 该二极管的最大直流反向耐压可达 75V，这意味着该器件能够承受高达 75V 的反向电压，对于大多数低至中等电压需求的电路非常实用。
平均整流电流 (Io): MMBD7000-7-F 的平均整流电流为 300mA，使其适合多种功率要求的应用。它的电流承载能力使其在整流电路中表现出色，满足绝大多数小型电子设备的需求。
正向压降 (Vf): 当电流为 150mA 时，其正向压降为 1.25V，显示出该二极管在工作时的能量损失较低，进一步提高了电路效率。
速度: 作为一种快速恢复二极管，MMBD7000-7-F 的速度小于等于 500ns，并且向上可支持超过 200mA 的电流。这种快速的响应特性使其在高频率应用中表现出色，适应性强。
反向泄漏电流: 当在 50V 条件下工作时，其反向泄漏电流不超过 1µA，表明该器件在断开时能有效减少电流损耗，在低功耗电路中特别重要。
工作温度
MMBD7000-7-F 的工作温度范围为 -65°C ~ 150°C，保证该产品可以在极端环境条件下稳定运行，适合军事、航空航天、工业和汽车电子等各种严苛的应用场景。
安装类型与封装
该产品采用表面贴装型(SMD)设计，封装类型为 SOT-23，这种小型封装形式使其在空间有限的现代电子设备中占用非常小的板面面积。同时，SOT-23 封装还提高了焊接过程的可靠性，减少了失效的风险。
应用领域
MMBD7000-7-F 的设计使其适用于众多高科技应用，包括但不限于：
- 开关电源：由于其快速恢复特性和适当的电流承载能力，该二极管广泛应用于开关电源电路中，充分满足高频开关的需求。
- 整流电路：可在小型整流电路中用作信号整流，提供高效、低噪声的电流转换。
- 高频应用：由于其优越的反向恢复特性及快速响应能力，特别适合用于高频信号处理。
- 消费电子产品：在消费电子设备中，广泛用于电源管理、信号调节和保护电路。
结论
综上所述，MMBD7000-7-F 是一款性能卓越的开关二极管，凭借其优良的电气特性、宽广的工作温度范围和小型封装格式，成为现代电子设备中不可或缺的重要元器件。无论是在工业应用、汽车电子还是消费类设备中，其都展现出优良的可靠性和卓越的性能，为设计师提供了更加可靠的解决方案。