封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63 | 晶体管类型 | NPN |
电压-集射极击穿(最大值) | 80V | 集电极电流Ic(最大值) | 8A |
电流放大倍数hFE(最小值) | 40@4A,1V | 功率(最大值) | 20W |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装(SMT) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 8A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 80V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1V @ 400mA,8A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 10µA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 40 @ 4A,1V | 功率 - 最大值 | 20W |
供应商器件封装 | DPAK |
MJD44H11T4 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能 NPN 型功率晶体管,采用 DPAK 封装,专为各种需要高电流和高电压的电子应用而设计。作为一款集成度高且功能强大的元器件,MJD44H11T4 适用于现代电子电路的多种需求,例如电源管理、马达驱动、开关电路等领域。
封装和安装类型:
电气特性:
温度范围:
截止电流:
由于其卓越的电气性能,MJD44H11T4 可广泛应用于以下领域:
MJD44H11T4 作为一款高性能 NPN 功率晶体管,凭借其优秀的电气特性和宽泛的应用范围,成为设计师在选择功率转运、开关控制和放大应用时的重要选择。无论是在消费类电子、工业自动化还是电源管理系统中,MJD44H11T4 均能提供可靠的性能和稳定的工作条件,将为电路设计带来极大的便利。随着电子设备功率要求不断增加,MJD44H11T4 的优势将进一步凸显,是实现高效电路设计的重要元件。