晶体管类型 | NPN | 集电极电流Ic | 3A |
集射极击穿电压Vce | 100V | 额定功率 | 1.56W |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 3A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 100V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1.2V @ 375mA,3A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 10 @ 3A,4V | 功率 - 最大值 | 1.56W |
频率 - 跃迁 | 3MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
供应商器件封装 | DPAK |
MJD31C-13 是一款高性能 NPN 型晶体管,专为各种功率放大器和开关应用而设计。该器件由美台 (DIODES) 品牌生产,具有优越的电气性能和宽广的工作温度范围,从-55°C 到 150°C,适用于严苛的环境条件。凭借其 100V 的集射极击穿电压(Vce)和高达 3A 的集电极电流(Ic),MJD31C-13 在多种应用场景中表现出色。
MJD31C-13 NPN 晶体管具有广泛的应用前景,主要包括:
MJD31C-13 NPN 晶体管凭借其优异的电气特性和可靠的工作性能,成为各种电子设备中不可或缺的重要元件。无论是在开关电源、功率放大器,还是在电动机驱动和调节器等领域,MJD31C-13 都展现了出色的表现。通过其高达 1.56W 的额定功率和宽温工作范围,该器件是设计高效、可靠电子系统的理想选择。作为美台 DIODES 品牌的一员,MJD31C-13 在市场上的信誉和可靠性将进一步增强用户对其应用的信心。