安装类型 | 表面贴装型 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA | 电阻器 - 基极 (R1) | 47 kOhms |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 33 @ 5mA,5V |
DDTC144VUA-7-F是一款由美台半导体(DIODES)出品的高度集成的NPN数字晶体管,采用SOT-323小型表面贴装封装,广泛应用于数字电路和信号放大领域。作为一款预偏置晶体管,DDTC144VUA-7-F为用户提供了优异的性能、灵活的工作特性以及简化的设计需求,尤其适合在有限空间的现代电子设备中使用。
安装类型:DDTC144VUA-7-F为表面贴装型(SMD),便于自动化焊接及快速组装,尤其适合高密度PCB设计。
电流范围:
电压耐受性:该产品的集射极击穿电压(V(BR)CES)高达50V,能够承受较高的电压波动,适应各种复杂的电源管理环境。
饱和压降(Vce(sat)):在不同的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)下,其Vce饱和压降最大值为300mV(在500µA及10mA条件下),表明该晶体管具有良好的电流开关性能。
频率响应:具备250MHz的跃迁频率,能够在高频情况下有效工作,满足高速度开关的需求。
功率管理:DDTC144VUA-7-F的最大功率额定值为200mW,在小功率的应用中表现良好,适合处理信号放大或开关功能。
直流电流增益(hFE):在5mA的工作状态下,DC电流增益(hFE)的最小值为33,这一参数对于确保放大电路中稳定的增益性能至关重要。
外部电阻设计:该晶体管推荐使用基极电阻(R1)47 kOhms及发射极电阻(R2)10 kOhms的设计方案,帮助优化工作状态与增益。
DDTC144VUA-7-F广泛应用于多种电子设备中,特别是在无线通信、消费电子和自动化控制领域。具体应用包括:
DDTC144VUA-7-F具有诸多优势:
DDTC144VUA-7-F凭借其优越的电气特性和多样的应用前景,成为现代电子设计中不可或缺的一部分。其高效的性能、紧凑的设计以及灵活的应用范围,使其备受电子工程师青睐。无论是作为开关元件还是信号放大器,DDTC144VUA-7-F都将为各种电子设备提供可靠支持,助力智能电子产品的发展与创新。