DDTC113ZE-7-F 产品实物图片
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DDTC113ZE-7-F

商品编码: BM0000281845
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT523
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-523-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.242
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.242
--
200+
¥0.156
--
1500+
¥0.136
--
3000+
¥0.12
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTC113ZE-7-F参数

封装/外壳SOT-523晶体管类型NPN-预偏压
电压-集射极击穿(最大值)50V集电极电流Ic(最大值)100mA
电流放大倍数hFE(最小值)33@5mA,5V功率(最大值)150mW
安装类型表面贴装(SMT)制造商Diodes Incorporated
包装卷带(TR)零件状态有源

DDTC113ZE-7-F手册

DDTC113ZE-7-F概述

产品概述:DDTC113ZE-7-F

一、基本信息

DDTC113ZE-7-F是由Diodes Incorporated公司推出的一款高性能NPN数字晶体管,专为满足各种电子应用需求而设计。该产品采用SOT-523封装,适合表面贴装(SMT)工艺,其紧凑的尺寸使其非常适合于空间受限的电路设计中。由于其优异的性能参数,DDTC113ZE-7-F广泛应用于数码产品、信号放大、开关电路及其他低功耗电子设备中。

二、技术参数

  1. 封装/外壳: SOT-523

    • 小尺寸的SOT-523封装使得该元器件在各种小型化电子设备中都能够轻松集成。
  2. 晶体管类型: NPN-预偏压

    • 预偏压设计使得该晶体管即使在较低电压下也能顺利导通,提高了电路的响应速度和可靠性。
  3. 电压-集射极击穿(最大值): 50V

    • 该晶体管能够承受高达50V的集射极击穿电压,适合不同电源电压范围的应用。
  4. 集电极电流Ic(最大值): 100mA

    • 最大集电极电流达到100mA,适合用于驱动较小功率的负载。
  5. 电流放大倍数hFE(最小值): 33@5mA,5V

    • 在典型条件下,其电流放大倍数hFE可达到33,意味着即使在较小的基极电流下,该晶体管仍能有效放大信号。
  6. 功率(最大值): 150mW

    • 最大功率为150mW,使得DDTC113ZE-7-F在进行高达150mW的电能处理时不会过热,保证了电路的稳定性。
  7. 安装类型: 表面贴装(SMT)

    • SMT类型设计使得其在现代PCB(印刷电路板)制造中容易安装,提高了生产效率。
  8. 制造商: Diodes Incorporated

    • Diodes Incorporated是一家知名的半导体制造商,凭借卓越的制造技术和质量保障,广受行业认可。
  9. 零件状态: 有源

    • 作为有源元件,DDTC113ZE-7-F提供可用的放大和开关功能,适合各种电子电路设计。

三、应用场景

DDTC113ZE-7-F在电子行业具有广泛的应用,其主要用途包括:

  1. 开关电路: 该晶体管能够作为电子开关,控制负载的通断,适合用于自动控制系统中。

  2. 信号放大: 在音频、视频等信号处理电路中,通过DDTC113ZE-7-F进行信号放大,提高信号的强度和质量。

  3. 数字电路: 作为逻辑门构成的一部分,DDTC113ZE-7-F可以在各种数字电路中使用,帮助制造高效的逻辑运算。

  4. 便携式设备: 因其小尺寸和低功耗特性,DDTC113ZE-7-F非常适合用于手机、平板电脑和其他便携式电子设备中的电源管理和信号处理电路。

  5. 消费电子产品: 包括计算机外围设备、电视和家用电器等,DDTC113ZE-7-F能够在这些设备中提供出色的性能。

四、总结

总之,DDTC113ZE-7-F是一款设计精良、性能稳定的NPN数字晶体管,凭借其高集电极电流、出色的功率处理能力和紧凑的封装,成为了现代电子产品设计的重要组成部分。无论是在开关控制还是信号放大应用中,DDTC113ZE-7-F均能提供优异的性能,满足各种电子设备的需求,为现代科技的发展提供强有力的支持。