BUK9Y22-100E,115
BUK9Y22-100E,115参数
| FET配置（电路类型） | N沟道 | 漏极电流（Id, 连续） | 49A（Tc） |
| 阈值电压Vgs(th) | 2.1V@1mA | 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 49A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 21.5 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 35.8nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4640pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 147W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 |
BUK9Y22-100E,115手册
BUK9Y22-100E,115概述
产品概述：BUK9Y22-100E,115 N沟道MOSFET
1. 产品简介
BUK9Y22-100E,115 是一款高性能N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），由知名半导体制造商Nexperia（安世）生产。该元器件专为高电流、高电压应用设计，具有出色的功率效率和热性能，广泛适用于电源管理、电动汽车、工业控制以及高频开关电路等领域。
2. 主要规格
- FET配置: N沟道
- 漏极电流（Id, 连续）: 49A @ 25°C
- 阈值电压（Vgs(th)）: 2.1V @ 1mA
- 漏源电压（Vdss）: 100V
- 最大导通电阻（RDS(on)）: 21.5 毫欧 @ 15A，10V
- 栅极电荷（Qg）: 35.8 nC @ 5V
- 功率耗散（最大值）: 147W @ Tc
- 工作温度范围: -55°C 至 175°C
- 封装形式: LFPAK56，Power-SO8，SC-100，SOT-669
3. 设计与应用
BUK9Y22-100E,115的N沟道配置使其在开关频率较高的应用中表现优异，适用于电源转换器、DC-DC转换器、马达驱动器和其他功率电子设备。由于其具有较低的导通电阻，能够在较高的电流下进行高效转换，显著降低功率损耗和发热，提高系统整体可靠性。
由于该元器件的Vdss为100V，它可以有效地适应包括高电压供电系统在内的多种应用场景。工作温度范围达到-55°C至175°C，保证了其在极端环境下的稳定性，进一步拓宽了使用范围，特别适合军事、航空航天及户外设备等苛刻条件下的需求。
4. 性能优化
BUK9Y22-100E,115的设计还考虑了输入电容（Ciss）的优化，最大值为4640pF，这为高频率操作提供了良好的兼容性。较小的栅极电荷提高了开关速度，降低了驱动电路的复杂性，适合快速开关应用的发展趋势。
此外，MOSFET的最大栅源电压（Vgs）为±10V，这给予设计人员更大的灵活性来选择驱动电压，使得设计既简单又成本有效。设备的持续漏极电流高达49A，使得BUK9Y22-100E,115成为大型电流应用的理想选择，能够承受瞬时电流要求，确保其他电路元件在电流高峰期间不受到损害。
5. 结论
综上所述，BUK9Y22-100E,115是一款高效、可靠且适用范围广的N沟道MOSFET产品。凭借其低导通电阻、广泛的工作温度范围和高功率处理能力，该产品无疑是现代功率电子设备的优秀选择，能够满足多种工业及消费电子应用的要求。无论是在电动汽车、电源转换领域，还是在高效能的可再生能源系统中，BUK9Y22-100E,115都是确保性能与效率的关键元器件。