BSC320N20NS3G

产品概述：BSC320N20NS3G N沟道场效应管（MOSFET）

BSC320N20NS3G 是由英飞凌（Infineon）推出的一款高性能 N沟道场效应管（MOSFET），其设计旨在满足现代电子设备对高效率和高可靠性的要求。该产品具备出色的电气性能和优良的热管理能力，广泛应用于工业、汽车电子、开关电源及各种功率管理系统中。

基本参数

• 漏源电压（Vdss）：200V
• 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：36A（Tc）
• 栅源极阈值电压：4V @ 90μA
• 漏源导通电阻：32mΩ @ 36A, 10V
• 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W（Tc）
• 类型：N沟道
• 封装：TDSON-8

设计与封装

BSC320N20NS3G 采用了先进的 TDSON-8 封装技术，这种封装具有良好的散热性能和空间利用率，适合高功率密度应用。其紧凑的体积（5mm x 6mm）使得它能够在有限的电路板空间内高效工作，同时降低了系统的整体体积。TDSON-8 封装还具备出色的抗震性和可靠性，适合各种严酷的工作环境。

电气性能

该 MOSFET 的漏源电压高达 200V，能够满足大多数高压电源应用的要求。其连续漏极电流达到 36A，使得 BSC320N20NS3G 在高负载情况下依然能够稳定工作，适用于电动汽车、工业控制等对电流要求较高的应用场景。

漏源导通电阻为 32mΩ，极低的导通损耗意味着在高频开关应用中可以显著提高能效，减少发热。栅源极阈值电压为 4V（@90μA）使得其在低电压驱动下，仍能实现良好的导通性能。

应用领域

BSC320N20NS3G 被广泛应用于各种电源转换器、DC-DC 转换器、以及电动机驱动器等领域。在更多的消费类电子产品中，例如空间受限的便携式设备及家用电器，BSC320N20NS3G 也是一种理想的选择。

由于其卓越的热性能和功率处理能力，该 MOSFET 还适合用于电力电子、电气出租车（EV）和混合动力汽车（HEV）等高压环保车辆。具有更高的效率和更低的功率损耗，将帮助降低电池成本，延长电池使用寿命。

结论

BSC320N20NS3G 是一款高效、可靠的 N沟道 MOSFET，其集成的高压和高电流特性以及优越的热性能，使其成为各种高要求应用的理想选择。无论是在极为复杂的电力管理系统，还是在简单的消费类电子产品中，BSC320N20NS3G 都能提供卓越的性能表现，提升最终产品的竞争力。选择英飞凌的 BSC320N20NS3G，将是您技术创新与性能提升的明智之选。