功率(Pd) | 83W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 58pF@30V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.7mΩ@10V,50A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 30nC@4.5V |
漏源电压(Vdss) | 60V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 4.4nF@30V | 连续漏极电流(Id) | 84A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.3V@49uA |
一、基本信息
BSC0702LS是一款由英飞凌(Infineon)制造的场效应管(MOSFET),其设计旨在满足高性能、高效率的电源管理和其他电子应用的需求。该MOSFET属于N沟道类型,具有高达83W的功率处理能力,能够承受60V的最大漏极到源极电压和100A的最大漏极电流。这些特性使得BSC0702LS非常适用于各种高电流和高电压的应用。
二、封装及尺寸
BSC0702LS采用PG-TDSON-8封装,尺寸为5mm x 6mm。这种紧凑的封装设计使得它在空间受限的应用中依然能够提供强大的性能,同时有效降低了热阻,提高了散热效率。PG-TDSON-8封装在多种电源转换器和电机驱动器中广泛应用,能够简化布局并提高可靠性。
三、技术规格
四、应用场景
BSC0702LS MOSFET广泛应用于以下几类场合:
五、性能优势
六、总结
总之,BSC0702LS是一款性能卓越的N沟道MOSFET,凭借其高功率处理能力、低导通电阻与优秀的热特性,成为众多高效电源管理与电机控制应用的不二选择。无论是在开关电源、电机驱动、电源转换器,还是其他电源管理领域,BSC0702LS都展现出了良好的适用性和优越的性能,能够满足现代电子设备对高效率、高可靠性和高集成度的需求。