晶体管类型 | NPN | 集电极电流Ic | 50mA |
集射极击穿电压Vce | 300V | 额定功率 | 250mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 50mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 300V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 600mV @ 5mA,30mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 10nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 50 @ 25mA,20V | 功率 - 最大值 | 250mW |
频率 - 跃迁 | 60MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
BF820,215是一款高性能的NPN型双极结晶体管(BJT),专为各种低功率和高电压应用场景设计。凭借其优越的电气特性和高温性能,BF820被广泛应用于信号放大、开关电路和其他电子设备中,特别是在要求较高操作频率和工作稳定性的场合。
BF820的主要技术参数如下:
BF820的设计确保了其在高压应用中的可靠性和低功耗表现。其高击穿电压(300V)和适中的集电极电流(50mA)使其在各种电子产品中具备出色的适应性。饱和压降(最大600mV)可在快速切换时有效控制功耗,有助于提升电路的整体效率。
BF820的跃迁频率高达60MHz,使其能够处理较高频率的信号。这一特性使其成为射频应用和高速开关电路的理想选择。此外,其DC电流增益(hFE)达到最小50,表明BF820在信号放大时具有较好的线性等效,能够在设计中为用户提供可靠的增益支持。
BF820广泛用于多个领域,包括:
BF820的SOT-23封装设计适合表面贴装技术(SMT),使其便于自动化生产和组装。这种小型化封装能够有效节省电路板空间,同时保证良好的热性能和电气连接的可靠性。
BF820由安世(Nexperia)制造,作为一家全球知名的半导体制造商,安世在组件可靠性和性能的一致性上赢得了广泛的赞誉。该品牌的产品在各类电子应用中,尤其是汽车、工业、消费电子及通信领域中,得到了广泛的认可。
BF820,215是一款在高电压、低功耗及高频应用中表现优异的NPN型晶体管,适合用于各种电子设计和开发中。通过其高增益、低饱和压降以及优异的工作频率,BF820能够满足现代电子产品对性能和效率的严苛要求。无论是在新产品开发还是现有设备的性能提升中,BF820都是一个值得信赖的选择。