晶体管类型 | NPN | 集电极电流Ic | 1A |
集射极击穿电压Vce | 60V | 额定功率 | 1.35W |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 50mA,500mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 63 @ 150mA,2V | 功率 - 最大值 | 1.35W |
频率 - 跃迁 | 180MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商器件封装 | SOT-223 |
BCP55,115是一款高性能的NPN型三极管,专为需要高电压和较大电流处理能力的应用而设计。该器件的主要特点包括其集电极电流(Ic)、集射极击穿电压(Vce)以及在工作环境中的优越性能。作为一款使用SOT-223封装的表面贴装型组件,BCP55,115在现代电子设计中展示了其广泛的适用性和高效的电能转换性能。
晶体管类型: NPN
集电极电流 (Ic): 1A
集射极击穿电压 (Vce): 60V
额定功率: 1.35W
最大饱和压降 (Vce_sat): 500mV
DC电流增益 (hFE): 63
工作频率和跃迁频率: 180MHz
工作温度: 150°C (TJ)
封装类型: SOT-223
BCP55,115的设计使其非常适合应用于高效电源管理、汽车电子、通信设备以及消费电子产品中。在电动汽车、智能家居设备和工业电路等领域,它能够满足高电流控制和信号放大的需求。
开关电源: 在开关电源和DC-DC转换器中,该器件可以用作开关元件,提高能量转换效率。
音频放大器: 利用其良好的增益特性,可以在音频放大器电路中实现清晰的信号传输。
射频电路: 其高跃迁频率使得BCP55,115适合用于射频应用,例如低噪声放大器和信号调制解调。
驱动电路: 在驱动LED、继电器等电气负载中,BCP55,115可以输出大电流,满足负载启动和操作的需求。
总之,BCP55,115是一款性能卓越、适应性广泛的NPN三极管,它凭借高集电极电流、高击穿电压以及小饱和压降的特性,为设计师提供了高效的解决方案。随着电子设备对功率和效率的不断提升,BCP55,115无疑将在未来的电子设计中持续发挥重要作用。