额定功率 | 250mW | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 45V | 晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 650mV @ 5mA,100mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 220 @ 2mA,5V | 功率 - 最大值 | 250mW |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
BC857B,215 是一款高性能的PNP型晶体管,属于双极接合晶体管(BJT)类别,旨在满足各种电子电路设计的需求。它的额定功率为250毫瓦,能够承受最高集电极电流(Ic)为100毫安,且具有45伏的集射极击穿电压(Vce)。该晶体管特别适合用于低功率信号放大和开关应用。
BC857B,215 可广泛应用于以下几个领域:
BC857B,215采用的TO-236AB(SOT-23)封装,体积小巧,适合现代电子产品对空间的要求。该晶体管由国际知名的电子元器件制造商Nexperia(安世)提供,具有良好的质量和可靠性。对于大规模采购用户,Nexperia还提供相关的技术支持和服务,确保用户在设计和生产过程中获得最佳使用体验。
BC857B,215是一款性能卓越的PNP型晶体管,凭借其高集电极电流、宽广的频率响应以及良好的温度特性,适用于多种电子设计场景。它不仅在各类信号放大和开关应用中表现出色,也为需要高效能和可靠性的电路设计提供了强有力的支持。随着电子产品的不断向小型化、高性能化发展,BC857B,215将为用户的设计需求提供更高的灵活性和更多的可能性。