额定功率 | 220mW | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 45V | 晶体管类型 | 2 NPN(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 5mA,100mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V | 功率 - 最大值 | 300mW |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | 6-TSSOP |
BC847BS,115 是一款由安世半导体(Nexperia)制造的高性能 NPN 型三极管,采用了小型的 SOT-363 封装。该元件的主要应用领域包括信号放大、开关电路和其他多种模拟和数字电路中,是广泛使用的低功耗、低电流增益的电子元器件。其额定功率可达到 300mW,最高可承受的集射极击穿电压为 45V,这使得它在多种电路设计中具备良好的适应性和可靠性。
BC847BS,115 由于其低功率特性和高集电极电流能力,非常适合以下应用:
总之,BC847BS,115 是一款优秀的 NPN 三极管,兼具高性能和多功能性,适合在各种电子电路中实现信号的放大和开关。其优越的电气特性、高工作温度和小型的包装形式,使得它在现代电子产品设计中成为一种理想选择。无论是在通信、消费电子,还是在工业控制领域,该元器件均能提供稳定可靠的性能表现。选择 BC847BS,115,能够使电子设计师在电路设计中获得更多的灵活性和效率。