BC807W,115
BC807W,115参数
| 额定功率 | 200mW | 集电极电流Ic | 500mA |
| 集射极击穿电压Vce | 45V | 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 45V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 700mV @ 50mA，500mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 100mA，1V | 功率 - 最大值 | 200mW |
| 频率 - 跃迁 | 80MHz | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
BC807W,115手册
BC807W,115概述
产品概述：BC807W,115
一、基本信息
BC807W,115 是一款高性能的PNP型双极性晶体管（BJT），采用表面贴装技术（SMD），封装形式为SOT-323。该晶体管广泛应用于低功率放大和开关电路，适用的工作电压和电流使其成为电子产品设计中非常重要的元件之一。由知名品牌 Nexperia（安世）生产，其性能稳定、可靠性高，适合于各类电子设备的应用。
二、技术规格
额定功率：200mW 如上所述，BC807W,115 的最大额定功率为200毫瓦，适合用于小功率电路的设计，能够有效降低功耗，提高电路的整体能效。
集电极电流 (Ic)：500mA 该器件的集电极电流（Ic）最大可达到500毫安，适用于需要较大电流驱动的负载，相比于一些低功率设备，该晶体管可以处理更高的电流要求。
集射极击穿电压 (Vce)：45V BC807W,115 的集射极击穿电压最大值为45伏，适合在较高电压环境中使用，覆盖了多种应用场景，包括电源管理和信号处理。
工作温度：最高可达150°C 该晶体管的工作温度范围可高达150摄氏度，使其能够在高温环境中稳定运行，适合高温敏感电子设备的设计。
频率：跃迁频率为80MHz 其跃迁频率达到80MHz，显示出良好的频率响应性能，能够适应高频应用，适合现代高速信号处理的需求。
饱和压降 (Vce(sat))：最大700mV @ 50mA, 500mA 在不同的集电极电流下，其饱和压降表现良好，最大值为700毫伏，可以保证在开关状态时的高效能，非常适合用于开关电源和信号放大。
直流电流增益 (hFE)：最小值100 @ 100mA, 1V 该晶体管在100mA集电极电流下的直流电流增益（hFE）最小为100，表明其良好的增益特性，在放大电路中具有较高的效率。
三、应用场景
BC807W,115 由于其高效能和优越的工作特性，广泛应用于各种电子产品的设计中，主要应用场景包括：
- 小功率放大电路：可以用作音频放大器的输出级，提高音质和信号驱动能力。
- 开关电路：BC807W,115 作为开关元件，能够在低功耗条件下控制大功率电路，非常适合用于电源开关、继电器驱动等。
- 射频应用：由于其良好的频率响应，适合用于无线通信和射频放大器的设计。
- 信号处理电路：可以用于各种模拟和数字信号处理电路中，为信号放大和转换提供较好的性能保障。
四、总结
BC807W,115 是一款集高性能、低功耗和高温耐受于一体的PNP型单极晶体管，特别适用于对散热要求较高的电子设备和复杂电路。其优越的电气性能和丰富的应用场景使其成为现代电子设计中不可或缺的一部分。无论是在消费电子、工业控制还是通信设备中，BC807W,115 都能提供可靠的解决方案，是设计工程师进行电路开发时的理想选择。