反向恢复时间(trr) | 4ns | 直流反向耐压(Vr) | 75V |
平均整流电流(Io) | 200mA | 正向压降(Vf) | 1.25V @ 150mA |
二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 75V |
电流 - 平均整流 (Io) | 200mA | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25V @ 150mA |
速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 | 反向恢复时间 (trr) | 4ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 1µA @ 75V | 不同 Vr、F 时电容 | 2pF @ 0V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 0402(1006 公制) |
供应商器件封装 | X1-DFN1006-2 | 工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C |
产品概述:BAS16LP-7 开关二极管
BAS16LP-7 是一款由美台半导体(Diodes Incorporated)制造的高性能开关二极管,专为需要快速切换和小信号处理的电子应用而设计。该器件采用0402(1006公制)表面贴装封装,具有紧凑的尺寸,使其成为现代电子设备中理想的选择,尤其是在空间受限的应用场景中。
反向耐压(Vr): BAS16LP-7 的直流反向耐压最高可达75V。这使得二极管能够在较高的电压环境下稳定工作,能够有效防止反向击穿,从而提高电路的安全性和可靠性。
平均整流电流(Io): 该二极管的平均整流电流能力为200mA,能够满足多数中小功率电路中的电流需求。这一参数确保在大多数应用情况下,二极管均可安全、有效地传输电流。
正向压降(Vf): 在150mA的工作条件下,正向压降为1.25V。这一较低的正向压降有助于降低功耗,提高能效,特别是在电源管理和信号传输等场合。
反向恢复时间(trr): BAS16LP-7 的反向恢复时间仅为4ns,表明该二极管在高频应用中能够快速切换,显著提升了电路的响应速度。这一特性使其非常适用于快速开关和调制解调器应用。
电流 - 反向泄漏: 该二极管在75V下的反向泄漏电流仅为1µA,这意味着在非工作状态下,BAS16LP-7 的功耗极低,有助于提高整个电路的效率。
电容特性: 在0V和1MHz频率下,二极管的电容值为2pF,这进一步支持其在高速信号传输和开关应用中的表现。
BAS16LP-7 适用于多种电子电路中的应用,包括但不限于:
BAS16LP-7 可在-65°C至150°C的温度范围内安全工作,这使得该二极管非常适合在极端环境下的应用,例如航空航天、汽车电子和工业控制等领域。
BAS16LP-7 采用的是表面贴装的X1-DFN1006-2封装,其尺寸为0.6mm x 1mm。这种小型封装不仅节省空间,还简化了PCB布局,有助于实现更高的集成度和更好的电气性能。
总的来说,BAS16LP-7 是一款性能卓越的开关二极管,凭借其优异的反向耐压、快速的切换特性和低功耗的正向压降而脱颖而出。作为一款多用途的电子元器件,BAS16LP-7 在当今高速电子和电气系统中提供了可靠的解决方案,是开关电源、小信号处理和保护电路等应用的理想选择。