BAS140WE6327HTSA1
BAS140WE6327HTSA1参数
| 平均整流电流（Io） | 120mA | 直流反向耐压（Vr） | 40V |
| 正向压降（Vf） | 1V @ 40mA | 二极管类型 | 肖特基 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 40V | 电流 - 平均整流 (Io) | 120mA（DC） |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1V @ 40mA | 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间 (trr) | 100ps | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 1µA @ 30V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 5pF @ 0V，1MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-76，SOD-323 | 供应商器件封装 | PG-SOD323-2 |
| 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
BAS140WE6327HTSA1手册
BAS140WE6327HTSA1概述
BAS140WE6327HTSA1 产品概述
基本信息
BAS140WE6327HTSA1 是一款高效的肖特基二极管，隶属于英飞凌（Infineon）旗下。它采用了 SOD-323-2 表面贴装封装，专为需要高频性能和低正向压降的应用设计。这款二极管的关键参数包括：平均整流电流（Io）为 120mA，直流反向耐压（Vr）为 40V，以及在 40mA 平均工作条件下的正向压降（Vf）为 1V。其快速的反向恢复时间（trr）为 100ps，使其能够在快速开关条件下稳定工作。
主要特性
低正向压降：在标准工作条件下，该二极管的正向压降为 1V，适用于节能设计，有助于降低电源损耗。
高反向耐压：设备的最大直流反向耐压（Vr）达到 40V，能够满足多个工作环境中的反向保护需求，确保了电路的长期可靠性。
高频响应：反向恢复时间（trr）小于 100ps，适用于高频率开关应用，能够有效减少因反向恢复引起的开关损耗。
极小的反向漏电流：在 30V 的反向电压下，反向漏电流仅为 1µA，极大地降低了对电源效率的影响，并有助于保持设备的温度稳定。
宽工作温度范围：该晶片的结温范围为 -55°C 到 150°C，适用于恶劣环境中的应用，能够保持良好的电气性能。
小型封装：SOD-323-2 封装设计使得该二极管在现代高密度电路板上具备更好的安装灵活性，适合于便携式设备和空间受限的应用。
应用场景
BAS140WE6327HTSA1 适用于各种需要快速开关和低电压损耗的电路，包括但不限于：
- 开关电源：常见于消费电子产品，如手机和笔记本电脑的电源模块。
- 整流应用：在直流电源和电池充电器中，该二极管可实现高效率的整流。
- 保护二极管：在敏感电路中，这款二极管可用作反向电流保护，防止电流反向对电路造成损坏。
- 射频和高频应用：由于其快速的响应速度，适合RF应用中的信号整流和混频。
结论
综上所述，BAS140WE6327HTSA1 是一款出色的肖特基二极管，凭借其快速响应、低正向压降及高稳定性，证明了它在多种应用中的理想性。无论是在消费电子、开关电源还是高频应用中，英飞凌的这一产品都能为设计师提供可靠的解决方案。使用 BAS140WE6327HTSA1 不仅可以提高电路的效率，还能增强整体的性能与可靠性，使其成为现代电子设计中不可或缺的元器件之一。