反向恢复时间(trr) | 3us | 直流反向耐压(Vr) | 85V |
平均整流电流(Io) | 215mA | 正向压降(Vf) | 1.25V @ 150mA |
二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 85V |
电流 - 平均整流 (Io) | 215mA(DC) | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25V @ 150mA |
速度 | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) | 反向恢复时间 (trr) | 3µs |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5nA @ 75V | 不同 Vr、F 时电容 | 1.5pF @ 0V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 0402(1006 公制) |
供应商器件封装 | X2-DFN1006-2 | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
BAS116LPH4-7B是一款高性能的开关二极管,尤其适用于需要快速开关和可靠性高的应用场景。该产品由DIODES(美台)公司制造,采用表面贴装型设计(SMD),封装尺寸为0402(1006公制),使其能够在空间有限的设计中应用,提供了很大的灵活性和便利性。由于其优越的电性能和广泛的应用领域,BAS116LPH4-7B成为电子设计工程师的热门选择。
BAS116LPH4-7B是标准恢复类型的二极管,速度超过500ns,特别适合高速开关应用。这种特性使其在RF电路、数据传输以及其他需要快速开关的领域中得到了广泛应用。其设计的优化使得产品在条件变化时,能够快速响应并保持稳定性能。
产品的电容特性也非常出色。在0V、1MHz时的电容为1.5pF,对于需要高频信号处理的电路而言,这一特性尤为重要,能够有效地减少信号干扰和失真。此外,标准恢复速度的设计使得此产品广泛适用于整流和信号解调等应用。
BAS116LPH4-7B的广泛应用包括但不限于:
BAS116LPH4-7B以其卓越的性能参数和优越的应用适应性,成为现代电子设计中的重要元器件。无论是在高频交换、整流以及一般电子设备中,BAS116LPH4-7B都能展现其极佳的性能,帮助工程师实现更高效、更可靠的电路设计。未来,随着电子技术的不断进步和需求的提升,BAS116LPH4-7B的应用前景也将更加广阔。